Resistência térmica ultra baixa de Circuit NCh NexFET Pwr do motorista do motor do Mosfet de CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg baixa
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
MOSFET do MOSFET 30V NCh NexFET Pwr do transistor de poder do Mosfet de CSD17308Q3 CSD17308Q3T
Características 1
- Aperfeiçoado para a movimentação da porta 5-V
-
Ultra-baixos Qg e Qgd
-
Baixa resistência térmica
-
Avalancha avaliada
-
Chapeamento terminal livre do Pb
-
RoHS complacente
-
Halogênio livre
-
VSON 3,3 milímetros de × pacote plástico de 3,3 milímetros
2 aplicações
-
Ponto do caderno da carga
-
Fanfarrão síncrono da Ponto--carga nos trabalhos em rede, nas telecomunicações, e nos sistemas de computação
Descrição 3
Este 30-V, 8,2 mΩ, 3,3 MOSFET do poder do milímetro VSON NexFETTM do × 3,3 do milímetro é projetado minimizar perdas em aplicações da conversão de poder e aperfeiçoado para aplicações da movimentação da porta 5-V.
Sumário do produto
|
Ta = 25°C |
VALOR |
UNIDADE |
||
|
VDS |
tensão da Dreno-à-fonte |
30 |
V |
|
|
Qg |
Total da carga da porta (4,5 V) |
3,9 |
nC |
|
|
Qgd |
Porta da carga da porta a drenar |
0,8 |
nC |
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|
RDS (sobre) |
Dreno-à-fonte na resistência |
VGS = 3 V |
12,5 |
mΩ |
|
VGS = 4,5 V |
9,4 |
mΩ |
||
|
VGS = 8 V |
8,2 |
mΩ |
||
|
VGS (th) |
Tensão do ponto inicial |
1,3 |
V |
|
Informação pedindo
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DISPOSITIVO |
QTY |
MEIOS |
PACOTE |
NAVIO |
|
CSD17308Q3 |
2500 |
carretel 13-Inch |
FILHO 3,3 milímetros de × pacote plástico de 3,3 milímetros |
Fita e carretel |
Avaliações máximas absolutas
|
Ta = 25°C salvo indicação em contrário |
VALOR |
UNIDADE |
|
|
VDS |
tensão da Dreno-à-fonte |
30 |
V |
|
VGS |
tensão da Porta-à-fonte |
+10/– 8 |
V |
|
Identificação |
Corrente contínua do dreno (pacote limitado) |
50 |
|
|
Corrente contínua do dreno, TC = 25°C |
44 |
||
|
Corrente contínua do dreno (1) |
14 |
||
|
IDM |
Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (2) |
167 |
|
|
Paládio |
Dissipação de poder (1) |
2,7 |
W |
|
Dissipação de poder, TC = 25°C |
28 |
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TJ, Tstg |
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento |
– 55 a 150 |
°C |
|
EAS |
Energia da avalancha, única identificação =36A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω |
65 |
mJ |