MOSFET 12V 9.3mohm do poder do MOSFET N-CH do pulso de disparo do transistor de poder do Mosfet CSD13202Q2
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFET 12V 9.3mohm do poder do MOSFET N-CH do pulso de disparo do transistor de poder do Mosfet CSD13202Q2
Características 1
- Ultra-baixos Qg e Qgd
-
Baixa resistência térmica
-
Avalancha avaliada
-
Chapeamento terminal sem chumbo
-
RoHS complacente
-
Halogênio livre
-
FILHO 2 milímetros de × pacote plástico de 2 milímetros
2 aplicações
-
Aperfeiçoado para aplicações do interruptor da carga
-
Armazenamento, tabuletas, e dispositivos Handheld
-
Aperfeiçoado para aplicações do FET do controle
-
Ponto da carga Buck Converters síncrono
Descrição 3
Este 12-V, MOSFET do poder de NexFETTM de 7,5 mΩ foi projetado minimizar perdas em aplicações da gestão da conversão e da carga de poder. O desempenho térmico excelente das ofertas do × 2 do FILHO 2 para o tamanho do pacote.
Sumário do produto
|
Ta = 25°C |
VAUE TÍPICO |
UNIDADE |
||
|
VDS |
Tensão da Dreno-à-fonte |
12 |
V |
|
|
Qg |
Total da carga da porta (4,5 V) |
5,1 |
nC |
|
|
Qgd |
Porta-à-dreno da carga da porta |
0,76 |
nC |
|
|
RDS (sobre) |
Em-resistência da Dreno-à-fonte |
VGS = 2,5 V |
9,1 |
mΩ |
|
VGS = 4,5 V |
7,5 |
|||
|
VGS (th) |
Tensão do ponto inicial |
0,8 |
V |
|
Informação do dispositivo
|
DISPOSITIVO |
MEIOS |
QTY |
PACOTE |
NAVIO |
|
CSD13202Q2 |
carretel 7-Inch |
3000 |
FILHO 2,00 milímetros de × pacote plástico de 2,00 milímetros |
Fita e carretel |
Avaliações máximas absolutas
|
Ta = 25°C |
VALOR |
UNIDADE |
|
|
VDS |
Tensão da Dreno-à-fonte |
12 |
V |
|
VGS |
Tensão da Porta-à-fonte |
±8 |
V |
|
Identificação |
Corrente contínua do dreno (limite do pacote) |
22 |
|
|
Corrente contínua do dreno (1) |
14,4 |
||
|
IDM |
Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (2) |
76 |
|
|
Paládio |
Dissipação de poder (1) |
2,7 |
W |
|
TJ, TSTG |
Junção de funcionamento, temperatura de armazenamento |
– 55 a 150 |
°C |
|
EAS |
Energia da avalancha, única identificação =20A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω |
20 |
mJ |