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MosFET do MOSFET 25V NexFET N Ch Pwr do transistor de poder do Mosfet de CSD16556Q5B

fabricante:
Fabricante
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
1,2 mOhms
Tempo de elevação:
34 ns
Tempo de queda:
13 ns
Tipo de produto:
MOSFET
Tempo de atraso de ligação típico:
17 ns
Tempo de atraso típico da volta-Fora:
25 ns
Destaque:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introdução

MosFET do MOSFET 25V NexFET N Ch Pwr do transistor de poder do Mosfet de CSD16556Q5B

Características 1

  • Extremamente - baixa resistência
  • Qg e Qgd Ultralow

  • Baixa resistência térmica

  • Avalancha avaliada

  • Chapeamento terminal livre do Pb

  • RoHS complacente

  • Halogênio livre

  • FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros

2 aplicações

  • Fanfarrão síncrono da Ponto--carga nos trabalhos em rede, nas telecomunicações, e nos sistemas de computação

  • Aperfeiçoado para aplicações síncronos do FET

Descrição 3
Este 25 V, 0,9 mΩ, × 5 MOSFET do poder de NexFETTM do FILHO de 6 milímetros são projetados minimizar perdas na correção síncrono e nas outras aplicações da conversão de poder.

Avaliações máximas absolutas

Ta = 25°C

VALOR TÍPICO

UNIDADE

VDS

Tensão da Dreno-à-fonte

25

V

Qg

Total da carga da porta (4,5 V)

36

nC

Qgd

Porta-à-dreno da carga da porta

12

nC

RDS (sobre)

Em-resistência da Dreno-à-fonte

VGS = 4,5 V

1,2

VGS =10V

0,9

VGS (th)

Tensão do ponto inicial

1,4

V

Dispositivo

Meios

Qty

Pacote

Navio

CSD16556Q5B

carretel 13-Inch

2500

FILHO pacote plástico de 5 x 6 milímetros

Fita e carretel

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