MOSFET do poder de NexFET do canal do MOSFET 30V N do transistor de poder do Mosfet CSD17313Q2
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFET do poder de NexFET do canal do MOSFET 30V N do transistor de poder do Mosfet CSD17313Q2
Características 1
- Aperfeiçoado para a movimentação da porta 5-V
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Ultra-baixos Qg e Qgd
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Baixa resistência térmica
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Pb-livre
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RoHS complacente
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Halogênio-livre
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FILHO 2 milímetros de × pacote plástico de 2 milímetros
2 aplicações
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Conversores de DC-DC
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Aplicações da gestão da bateria e da carga
Descrição 3
Este 30-V, 24 mΩ, 2 milímetros x MOSFET do poder de NexFETTM do FILHO de 2 milímetros é projetado minimizar perdas em aplicações da conversão de poder e aperfeiçoado para aplicações da movimentação da porta 5-V. O × de 2 milímetros FILHO de 2 milímetros oferece o desempenho térmico excelente para o tamanho do pacote.
Sumário do produto
(1) para todos os pacotes disponíveis, veja o addendum orderable na extremidade da folha de dados.
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Ta = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDADE |
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VDS |
Tensão da Dreno-à-fonte |
30 |
V |
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Qg |
Total da carga da porta (4,5 V) |
2,1 |
nC |
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Qgd |
Porta-à-dreno da carga da porta |
0,4 |
nC |
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RDS (sobre) |
Dreno-à-fonte na resistência |
VGS = 3 V |
31 |
mΩ |
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VGS = 4,5 V |
26 |
mΩ |
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VGS = 8 V |
24 |
mΩ |
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VGS (th) |
Tensão do ponto inicial |
1,3 |
V |
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Informação pedindo
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NÚMERO DA PEÇA |
QTY |
MEIOS |
PACOTE |
NAVIO |
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CSD17313Q2 |
3000 |
carretel 13-Inch |
FILHO 2 milímetros de × pacote plástico de 2 milímetros |
Fita e carretel |
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CSD17313Q2T |
250 |
carretel 7-Inch |
Avaliações máximas absolutas
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Ta = 25°C |
VALOR |
UNIDADE |
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VDS |
Tensão da Dreno-à-fonte |
30 |
V |
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VGS |
Tensão da Porta-à-fonte |
+10/– 8 |
V |
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Identificação |
Corrente contínua do dreno (pacote limitado) |
5 |
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Corrente contínua do dreno (silicone limitado), TC = 25°C |
19 |
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Corrente contínua do dreno (1) |
7,3 |
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IDM |
Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (2) |
57 |
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Paládio |
Dissipação de poder (1) |
2,4 |
W |
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Dissipação de poder, TC = 25°C |
17 |
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TJ, TSTG |
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento |
– 55 a 150 |
°C |
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EAS |
Energia da avalancha, único pulso, identificação =19A, L=0.1mH, RG =25Ω |
18 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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