MOSFETs do poder do MOSFET 30V N-Ch NexFET do transistor de poder do Mosfet de CSD17556Q5B
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFETs do poder do MOSFET 30V N-Ch NexFET do transistor de poder do Mosfet de CSD17556Q5B
Características 1
- Extremamente - baixa resistência
-
Ultra-baixos Qg e Qgd
-
Resistência Baixo-térmica
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Avalancha avaliada
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Chapeamento terminal sem chumbo
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RoHS complacente
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Halogênio livre
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FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros
2 aplicações
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Ponto do fanfarrão síncrono da carga nos trabalhos em rede, nas telecomunicações, e nos sistemas de computação
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Correção síncrono
-
Aplicações ativas do anel-O e do Hotswap
Descrição 3
Este 30-V, 1,2 mΩ, MOSFET de um poder de 5 milímetros NexFETTM do × 6 do milímetro é projetado minimizar perdas na correção síncrono e nas outras aplicações da conversão de poder.
Sumário do produto
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Ta = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDADE |
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VDS |
Tensão da Dreno-à-fonte |
30 |
V |
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Qg |
Total da carga da porta (4,5 V) |
30 |
nC |
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Qgd |
Porta-à-dreno da carga da porta |
7,5 |
nC |
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RDS (sobre) |
Em-resistência da Dreno-à-fonte |
VGS = 4,5 V |
1,5 |
mΩ |
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VGS =10V |
1,2 |
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VGS (th) |
Tensão do ponto inicial |
1,4 |
V |
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Informação do dispositivo
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DISPOSITIVO |
QTY |
MEIOS |
PACOTE |
NAVIO |
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CSD17556Q5B |
2500 |
carretel 13-Inch |
FILHO 5,00 milímetros de × pacote plástico de 6,00 milímetros |
Fita e carretel |
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CSD17556Q5BT |
250 |
Avaliações máximas absolutas
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Ta = 25°C |
VALOR |
UNIDADE |
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VDS |
Tensão da Dreno-à-fonte |
30 |
V |
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VGS |
Tensão da Porta-à-fonte |
±20 |
V |
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Identificação |
Corrente contínua do dreno (pacote limitado) |
100 |
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Corrente contínua do dreno (silicone limitado), TC = 25°C |
215 |
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Corrente contínua do dreno (1) |
34 |
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IDM |
Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (1) (2) |
400 |
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Paládio |
Dissipação de poder (1) |
3,1 |
W |
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Dissipação de poder, TC = 25°C |
191 |
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TJ, Tstg |
Junção de funcionamento, temperatura de armazenamento |
– 55 a 150 |
°C |
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EAS |
Energia da avalancha, única identificação =100A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω |
500 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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