O transistor de poder do Mosfet de LMZ10500SILR Não-isolou a modificação Nano dos conversores 650mA de DC/DC com o VINTAGE de 5.5V Max Inpt
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
O transistor de poder do Mosfet de LMZ10500SILR Não-isolou a modificação Nano dos conversores 650mA de DC/DC com o VINTAGE de 5.5V Max Inpt
Características 1
- Corrente de saída até 650 miliampères
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A tensão entrada varia 2,7 V a 5,5 V
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Tensão da saída para variar 0,6 V a 3,6 V
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Eficiência até 95%
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Indutor integrado
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pegada do microSiP 8-Pin
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– 40°C à variação da temperatura da junção 125°C
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Tensão ajustável da saída
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2-MHz fixou a frequência de comutação de PWM
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Compensação integrada
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Função do Macio-início
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Proteção atual do limite
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Proteção térmica da parada programada
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Tensão entrada UVLO para a ligação inicial, o poder-Para baixo, e as condições da baixa de pressão
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Somente 5 componentes externos — Divisor do resistor e 3 capacitores cerâmicos
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Tamanho pequeno da solução
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Baixa ondinha da tensão da saída
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Seleção componente fácil e disposição simples do PWB
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A eficiência elevada reduz a geração de calor do sistema
2 aplicações
• Ponto de conversões da carga dos trilhos 3.3-V e 5-V
• O espaço forçou aplicações • Baixas aplicações do ruído da saída
Descrição 3
O módulo LMZ10500 nano é uma solução abaixadora fácil de usar de DC/DC capaz de conduzir a carga de até 650 miliampère em aplicações espaço-forçadas. Somente um capacitor da entrada, um capacitor da saída, um capacitor pequeno do filtro de VCON, e dois resistores são exigidos para a operação básica. O módulo nano vem em um pacote da pegada do μSiP de 8 pinos com um indutor integrado. O limite atual interno baseou a função do macio-início, proteção atual da sobrecarga, e a parada programada térmica é fornecida igualmente.
Informação do dispositivo
NÚMERO DA PEÇA |
PACOTE |
TAMANHO DE CORPO (NOM) |
LMZ10500 |
μSiP (8) |
3,00 milímetros de × 2,60 milímetros |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL

Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF

Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero

Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485

SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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