O transistor de poder do Mosfet de LMZ31520RLGT Não-isolou conversores de DC/DC a modificação de 20A Pwr que com 3.0V-14.5V entrou
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
O transistor de poder do Mosfet de LMZ31520RLGT Não-isolou conversores de DC/DC a modificação de 20A Pwr que com 3.0V-14.5V entrou
Características 1
- Solução integrada completa do poder; Menor do que um projeto discreto
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15mm×16mm×5.8mmPackageSize - Pin Compatible com LMZ31530
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Resposta de etapa ultrarrápido da carga
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Eficiências até 96%
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A tensão da Largo-saída ajusta
0,6 V a 3,6 V, com precisão da referência de 1% -
Os trilhos rachados opcionais do poder permitem a tensão entrada para baixo a 3 V
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Frequência de comutação selecionável (300 quilohertz a 850 quilohertz)
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Lento-início selecionável
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Limite ajustável da sobrecarga
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Boa saída do poder
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Arranjar em sequência da tensão da saída
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Sobre a proteção da temperatura
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partida da saída da Pre-polarização
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Variação da temperatura de funcionamento: – 40°C a 85°C
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Desempenho térmico aumentado: 8.6°C/W
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Emissões da classe A das reuniões EN55022 - indutor protegido integrado
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Crie projetam usando o LMZ31520 com o desenhista do poder de WEBENCH®
2 aplicações
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Infraestrutura da faixa larga e de comunicações
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Ponto de DSP e de FPGA de aplicações da carga
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Sistemas de energia do alto densidade
Descrição 3
O módulo de poder LMZ31520 é uma solução integrada fácil de usar que combine um conversor da C.C. da C.C. 20-A com os MOSFETs do poder, um indutor protegido, e as vozes passivas em um perfil baixo, pacote do poder de QFN. Esta solução total do poder permite somente três componentes externos e elimina o processo de seleção da peça da compensação e do magnetics do laço.
O pacote de 15×16×5.8 milímetro QFN é fácil de soldar em uma placa de circuito impresso e permite um projeto compacto da ponto--carga. Consegue maior a eficiência de 95%, tem a resposta de etapa ultrarrápido da carga e a capacidade excelente da dissipação de poder com uma impedância térmica de 8.6°C/W. O LMZ31520 oferece a flexibilidade e o característica-grupo de um discreto ponto-do projeto da carga e é ideal para pôr uma vasta gama de CI e de sistemas. A tecnologia de empacotamento avançada tem recursos para uma solução robusta e segura do poder compatível com a montagem padrão de QFN e as técnicas de teste.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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