MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 do transistor de poder do Mosfet SI7139DP-T1-GE3
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 do transistor de poder do Mosfet SI7139DP-T1-GE3
CARACTERÍSTICAS
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MOSFET do poder de TrenchFET®
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100% Rg e UIS testou
• Categorização material:
APLICAÇÕES
• Laptop
- Interruptor do adaptador
- Interruptor de bateria
- Interruptor da carga
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SUMÁRIO DO PRODUTO |
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VDS (v) |
RDS (sobre) () |
Identificação (a) |
Qg (TIPO.) |
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-30 |
0,0055 em VGS = -10 V |
-40 d |
49,5 nC |
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0,0090 em VGS = -4,5 V |
-40 d |
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AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (Ta = °C 25, salvo disposição em contrário) |
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PARÂMETRO |
SÍMBOLO |
LIMITE |
UNIDADE |
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Tensão da Dreno-fonte |
VDS |
-30 |
V |
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Tensão da Porta-fonte |
VGS |
± 20 |
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Corrente contínua do dreno (TJ = °C) 150 |
TC =25°C |
Identificação |
-40 d |
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TC =70°C |
-40 d |
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Ta =25°C |
-22,4 a, b |
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Ta =70°C |
-17,9 a, b |
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Corrente pulsada do dreno |
IDM |
-70 |
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Corrente de diodo contínua do Fonte-dreno |
TC =25°C |
É |
-40 d |
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Ta =25°C |
-4,5 a, b |
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Corrente da avalancha |
L = 0,1 mH |
IAS |
30 |
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Energia da avalancha do Único-pulso |
EAS |
45 |
mJ |
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Dissipação de poder máxima |
TC =25°C |
Paládio |
48 |
W |
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TC =70°C |
30 |
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Ta =25°C |
5 a, b |
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Ta =70°C |
3,2 a, b |
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Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento |
TJ, Tstg |
-55 a 150 |
°C |
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Recomendações de solda (temperatura máxima) e, f |
260 |
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AVALIAÇÕES DA RESISTÊNCIA TÉRMICA |
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PARÂMETRO |
SÍMBOLO |
TÍPICO |
MÁXIMO |
UNIDADE |
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A Junção-à-ambiental máximo, c |
10 s de t |
RthJA |
20 |
25 |
°C/W |
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Junção-à-caso máximo |
De estado estacionário |
RthJC |
2,1 |
2,6 |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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