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MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 do transistor de poder do Mosfet SI7461DP-T1-GE3

fabricante:
Fabricante
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Especificações
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte:
1 V
Identificação - corrente contínua do dreno:
A 14,4
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
60 V
Vgs - tensão da Porta-fonte:
10 V
Qg - carga da porta:
121 nC
Paládio - dissipação de poder:
5,4 W
Destaque:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introdução

MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 do transistor de poder do Mosfet SI7461DP-T1-GE3

CARACTERÍSTICAS

  • MOSFETs do poder de TrenchFET®
  • Categorização material:

para definições da conformidade veja por favor www.vishay.com/doc?99912

SUMÁRIO DO PRODUTO

VDS (v)

RDS (sobre) ()

Identificação (a)

-60

0,0145 em VGS = -10 V

-14,4

0,0190 em VGS = -4,5 V

-12,6

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (Ta = °C 25, salvo disposição em contrário)

PARÂMETRO

SÍMBOLO

10 s

DE ESTADO ESTACIONÁRIO

UNIDADE

Tensão da Dreno-fonte

VDS

-60

V

Tensão da Porta-fonte

VGS

± 20

Corrente contínua do dreno (TJ = 150 °C) a

Ta =25°C

Identificação

-14,4

-8,6

Ta =70°C

-11,5

-6,9

Corrente pulsada do dreno

IDM

-60

Corrente de fonte contínua (condução) do diodo a

É

-4,5

-1,6

Corrente da avalancha

L = 0,1 mH

IAS

50

Única energia da avalancha do pulso

EAS

125

mJ

Dissipação de poder máxima a

Ta =25°C

Paládio

5,4

1,9

W

Ta =70°C

3,4

1,2

Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento

TJ, Tstg

-55 a +150

°C

Recomendações de solda (temperatura máxima) b, c

260

AVALIAÇÕES DA RESISTÊNCIA TÉRMICA

PARÂMETRO

SÍMBOLO

TÍPICO

MÁXIMO

UNIDADE

A Junção-à-ambiental máximo

 10 s de t

RthJA

18

23

°C/W

De estado estacionário

52

65

Junção-à-caso máximo (dreno)

De estado estacionário

RthJC

1

1,3

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