Consumo da baixa potência de Mbit do micro 32 de IC da microplaqueta de memória Flash de SST26VF032B-104I/MF
serial flash memory
,serial flash chip
Consumo da baixa potência de Mbit do microchip 32 de IC da microplaqueta de memória Flash de SST26VF032B-104I/MF
A família de série do quadrilátero I/O™ (SQI™) de dispositivos de memória Flash caracteriza um seis-fio, a relação que permite a baixa potência, operação de capacidade elevada do I/O de 4 bocados em um baixo pacote da pino-contagem. SST26VF032B/032BA igualmente apoiam a compatibilidade completa do comando-grupo ao protocolo de série tradicional da relação periférica (SPI). Os projetos de sistema que usam dispositivos do flash de SQI ocupam menos o espaço da placa e para abaixar finalmente custos de sistema.
Todos os membros das 26 séries, família de SQI são fabricados com tecnologia proprietária, de capacidade elevada do CMOS SuperFlash®. O injetor do encapsulamento do projeto e do grosso-óxido da pilha da separação-porta alcança a melhor confiança e o manufacturability comparados com as aproximações alternativas.
SST26VF032B/032BA melhoram significativamente o desempenho e a confiança, ao abaixar o consumo de potência. Estes dispositivos escrevem (o programa ou apaga) com uma única fonte de alimentação de 2.3-3.6V. A energia total consumida é uma função da tensão aplicada, atual, e da época da aplicação. Desde para toda a escala dada da tensão, a tecnologia de SuperFlash usa menos atual para programar e tem um mais curto apaga o tempo, a energia total consumida durante alguns apaga ou programa a operação é menos do que tecnologias de memória Flash alternativas.
• Única tensão lida e para escrever operações
- 2.7-3.6V ou 2.3-3.6V
• Arquitetura da relação de série
- I/O multiplexados Mordidela-largos com SPI-como série
estrutura de comando
- Modo 0 e modo 3
- protocolo de série da relação x1/x2/x4 periférica (SPI)
• Frequência de pulso de disparo de alta velocidade
- 2.7-3.6V: 104 megahertz máximo
- 2.3-3.6V: 80 megahertz máximo
• Modos de explosão
- Explosão linear contínua
- 8/16/32/64 de explosão linear do byte com wrap-around
• Confiança superior
- Resistência: 100.000 ciclos (minuto)
- Maior de 100 anos de retenção dos dados
• Consumo da baixa potência:
- Ativo leia atual: 15 miliampères (@ 104 megahertz típicos)
- Corrente à espera: µA 15 (típico)
• Apague rapidamente o tempo
- O setor/bloco apaga: Senhora 18 (tipo), Senhora 25 (máxima)
- Chip Erase: Senhora 35 (tipo), Senhora 50 (máxima)
• Página-programa
- 256 bytes pela página no modo x1 ou x4
• Fim--escreva a detecção
- Software que vota o bocado OCUPADO no registro do estado
• Flexível apague a capacidade
- 4 setores uniformes do KByte
- Quatro parte superior de 8 KByte e folha de prova inferior do parâmetro
blocos
- Uma parte superior de 32 KByte e bloco coberto inferior
- 64 blocos uniformes da folha de prova do KByte
• Escrever-suspenda
- Suspenda o programa ou apague a operação para alcançar
um outro bloco/setor
• Modo da restauração do software (RST)
• O software escreve a proteção
- O Individual-bloco escreve a proteção com permanente
capacidade do congelamento
- 64 blocos do KByte, dois 32 blocos do KByte, e
oito 8 blocos do parâmetro do KByte
- Proteção lida no KByte 8 superior e inferior
blocos do parâmetro
• Identificação da segurança
- Único (OTP) 2 KByte programável, identificação segura
- 64 bocado original, identificador pre-programado fábrica
- área Usuário-programável
• Variação da temperatura
- Industrial: -40°C a +85°C
- Prolongado: -40°C a +105°C
• Pacotes disponíveis
- 8-contact WDFN (6mm x 5mm)
- 8-lead SOIJ (5,28 milímetros)
- 24-ball TBGA (6mm x 8mm)
• Todos os dispositivos são RoHS complacente
Inventário adicional de CM GROUP:
SST26VF032BT-104I/MF
SST26VF032BA-104I/MF
SST26VF032BAT-104I/MF
SST26VF032B-104V/MF
SST26VF032BT-104V/MF
SST26VF032B-104I/SM
SST26VF032BT-104I/SM
SST26VF032BA-104I/SM
SST26VF032BAT-104I/SM
SST26VF032B-104V/SM
SST26VF032BT-104V/SM
SST26VF032B-104I/TD

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL

Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF

Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero

Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485

SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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![]() |
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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![]() |
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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