Tipo Epitaxial audio do silicone NPN do transistor de IC do amplificador de potência 2SC5171 200 megahertz
2SC5171
,TOSHIBA original chip
,Audio Power Amplifier IC
2SC5171 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Tipo Epitaxial Aplicações de Amplificadores de Potência
CARACTERÍSTICAS
• Alta frequência de transição: fT = 200 MHz (tip.)
• Complementar a 2SA1930
características elétricas(Tc = 25°C)
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Características |
Símbolo |
Condição de teste |
mín. |
Tipo. |
máx. |
Unidade |
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Corrente de corte do coletor |
EUCBO |
VCB= 180 V, IE= 0 |
― |
― |
5.0 |
μA |
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Corrente de corte do emissor |
EUEBO |
VEB= 5 V, IC= 0 |
― |
― |
5.0 |
μA |
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Tensão de ruptura coletor-emissor |
V(BR) CEO |
EUC= 10 mA, IB= 0 |
180 |
― |
― |
V |
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ganho de corrente DC |
hFE (1) |
VCE= 5 V, IC= 0,1 A |
100 |
― |
320 |
|
|
hFE (2) |
VCE= 5 V, IC= 1A |
50 |
― |
― |
||
|
Tensão de saturação coletor-emissor |
VCE (sáb) |
EUC= 1 A, IB= 0,1 A |
― |
0,16 |
1,0 |
V |
|
Tensão base-emissor |
VSER |
VCE= 5 V, IC= 1A |
― |
0,68 |
1,5 |
V |
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frequência de transição |
fT |
VCE= 5 V, IC= 0,3 A |
― |
200 |
― |
MHz |
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Capacitância de saída do coletor |
Cobg |
VCB= 10 V, IE= 0, f = 1 MHz |
― |
16 |
― |
pF |
Classificações Máximas Absolutas(Tc = 25°C)
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Características |
Símbolo |
Avaliação |
Unidade |
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Tensão da base do coletor |
VCBO |
180 |
V |
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|
Tensão coletor-emissor |
VCEO |
180 |
V |
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Tensão emissor-base |
VEBO |
5 |
V |
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Corrente do coletor |
EUC |
2 |
A |
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Corrente base |
EUB |
1 |
A |
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Dissipação de energia do coletor |
Ta = 25°C |
PC |
2.0 |
C |
|
Tc = 25°C |
20 |
|||
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Temperatura de junção |
Tj |
150 |
°C |
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Amplitude Térmica de armazenamento |
Tstg |
−55 a 150 |
°C |
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Formulários
• Aplicações de amplificadores de potência
• Aplicações de Amplificadores de Estágio de Driver
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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