Temperatura de funcionamento do transistor de poder 175°C do Mosfet de IRF3205PBF ultra baixa - na resistência
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-canal 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) através do furo TO-220AB
Categoria:
Microplaqueta de IC da memória Flash
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Série:
IRF3205PBF
Aplicação:
velocidade de comutação rápida e dispositivo ruggedized
Pacote:
TO-220
Nome:
Transistor de poder do Mosfet
Destaque:
n channel mosfet transisto
,p channel mosfet transistor
Introdução
? Transistor do MOSFET do MOSFET 55V 98A TO-220 do poder de IRF3205PbF HEXFET®
Descrição
Os MOSFETs avançados do poder de HEXFET® do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria.
Características
- Tecnologia de processamento avançada
- ? Em-resistência ultra baixa
- ? Avaliação dinâmica de dv/dt
- ? temperatura de funcionamento 175°C
- ? Interruptor rápido
- ? Inteiramente avalancha avaliada
- ? Sem chumbo
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