IRFP9240 Rectificador de propósito geral Diodo P Canal com 150W através do buraco
fabricante:
VISHAY
Descrição:
P-canal 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) através do furo TO-247AC
Categoria:
Componentes eletrônicos
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, COMPROMISSO
Especificações
Categorias:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Drene à tensão da fonte (Vdss):
200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs:
500 mOhm @ 7.2A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @:
4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
44nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
1200pF @ 25V
Dissipação de poder (máxima):
150W (Tc)
Destaque:
high current schottky diode
,low power zener diode
Introdução
IRFP9240 Diodo rectificador de finalidade geral P-canal 200V 12A (Tc) 150W (Tc) através do buraco
Características
• DV/dt dinâmico
• Avalanches repetitivas classificadas
• Canal P
• Furo de fixação central isolado
• Mudança rápida
• Facilidade de fazer paralelos
• Requisitos simples de direção
• Conforme à Directiva RoHS 2002/95/CE
Descrição
Os Power MOSFETs de terceira geração da Vishay fornecem ao designer a melhor combinação de comutação rápida, design robusto do dispositivo, baixa resistência e custo-eficácia.O pacote TO-247AC é preferido para aplicações comerciais e industriais em que níveis de potência mais elevados impedem a utilização de dispositivos TO-220ABO TO-247AC é semelhante, mas superior ao pacote TO-218 anterior devido ao seu buraco de montagem isolado.Também proporciona uma maior distância de rastejamento entre os pinos para atender aos requisitos da maioria das especificações de segurança.
| Atributos do produto | Selecione Todos |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Transistores - FETs, MOSFETs - Únicos | |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Série | - |
| Embalagem | Tubos |
| Estatuto da parte | Atividade |
| Tipo de FET | Canal P |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 200 V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 7,2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ± 20V |
| Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Dissipação de energia (máximo) | 150 W (Tc) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Através do Buraco |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247-3 |
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