IGBT 600V 22A 156W isolou o transistor bipolar IRGB10B60KDPBF da porta
fabricante:
Infineon
Descrição:
IGBT NPT 600 V 22 A 156 W através do furo TO-220AB
Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
To be negotiated
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
PN:
IRGB10B60KDPBF
Tipo:
INFINEON/IR
Original:
ALEMANHA
Tipo:
Diodo macio Ultrafast isolado da recuperação do transistor bipolar da porta
Tensão:
IGBT 600V 22A 156W
pacote:
TO220AB
Destaque:
156W Insulated Gate Bipolar Transistor
,22A Insulated Gate Bipolar Transistor
,IGBT Bipolar Recovery Diode
Introdução
IRGB10B60KDPBF Transistor Bipolar com Diodo de Recuperação Superrápido
600V 22A 156W TO220AB
Características
• Baixo VCE (on) Não Punch através da tecnologia IGBT.
• Baixa frequência VF de diodo.
• Capacidade de curto-circuito de 10 μs.
• RBSOA quadrada.
• Características de recuperação inversa do diodo ultra- macio.
• Coeficiente de temperatura VCE (on) positivo.
• Sem chumbo
Benefícios
• Eficiência de referência para o controlo motor.
• Desempenho transitório robusto.
• Baixa EMI.
• Excelente partilha de corrente em operação paralela.
| Número da parte | IRGB10B60KDPBF |
| Fabricante | Infineon |
| Categorias Produtos semicondutores discretos Transistores - IGBTs - Fabricante único | Infineon |
| Embalagem | Tubos |
| Origem | Alemanha. |
| Estatuto da parte | Atividade |
| Tipo IGBT | TNP |
| Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) | 600 V |
| Corrente - colector (Ic) (máximo) | 22A |
| Corrente - Colector pulsado (Icm) | 44A |
| VCE (on) (Max) @ Vge Ic | 2.2V @ 15V 10A |
| Potência - Máximo | 156W |
| Mudança de energia | 140 μJ (acendido) 250 μJ (desligado) |
| Tipo de entrada | Padrão |
| Taxa de entrada | 38nC |
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MOQ:
5-10pcs