Montagem 417mW de superfície do canal 60V 300mA dos transistor P de BSH201,215 NPN PNP (Ta) (Ta)
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
BSH201 NPN PNP Transistores P-Channel 60V 300mA (Ta) 417mW (Ta) Montador de superfície
Transistor BSH201 MOS com modo de reforço de canal P
Características SÍMBOLO DADOS DE REFERÊNCIA RÁPIDOS • Tensão de limiar baixa VDS = -60 V • Comutação rápida • ID compatível com nível lógico = -0,3 A • Pacote de montagem de superfície em miniatura RDS ((ON) ≤ 2,5 Ω (VGS = -10 V)
DESCRIÇÃO GERAL PINNING SOT23
Canal P, modo de reforço, nível lógico PIN DESCRIPÇÃO, transistor de potência de efeito de campo.Este dispositivo tem baixa tensão de limiar de 1 porta e comutação extremamente rápida tornando-o ideal para aplicações alimentadas a bateria de 2 fontes e interface digital de alta velocidade. 3 drenagem
O BSH201 é fornecido no pacote de montagem de superfície em subminiatura SOT23.
| Atributos do produto | Selecione Todos |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Transistores - FETs, MOSFETs - Únicos | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. |
| Série | - |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Estatuto da parte | Atividade |
| Tipo de FET | Canal P |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 60 V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 300 mA (Ta) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 160mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA (min) |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ± 20V |
| Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 48V |
| Característica FET | - |
| Dissipação de energia (máximo) | 417 mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-236AB |
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