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Família de amplificadores operacionais de alimentação única de alta saída e banda larga Tl7757cdr

fabricante:
Texas Instruments
Descrição:
Dreno aberto do supervisor ou canal aberto 8-SOIC do coletor 1
Categoria:
Gestão CI do poder
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão de fonte:
17 V
Variação da temperatura de funcionamento do livre-ar, Ta: Sufixo de C:
0°C a 70°C
Variação da temperatura de funcionamento do livre-ar, Ta: Mim sufixo:
°C −40 a 125°C
Temperatura de junção máxima, TJ:
150°C
Variação da temperatura do armazenamento, Tstg:
−65°C a 150°C
Conduza a temperatura 1,6 milímetros (1/16 de polegada) do argumento por 10 segundos:
260°C
Destaque:

electronics ic chip

,

integrated circuit ic

Introdução

 

FAMÍLIA DE AMPLIFICADORES OPERACIONAIS DE SUPRIMENTO ÚNICO DE BANDA LARGA COM ALTA SAÍDA

 

* Largura de banda larga...10 MHz

*Drive de alta saída

− euOH...57 mA em VDD− 1,5 VAmplificador operacional

− euOL...55 mA a 0,5 V

* Alta taxa de giro

− SR+ ...16 V/µs

− SR− ...19 V/µs

* Ampla Gama de Fornecimento...4,5 V a 16 V

*Fornecimento de corrente...1,9 mA/Canal

*Modo de desligamento de energia ultrabaixa

EUDD...125 µA/Canal

*Baixa tensão de ruído de entrada...8,5 nV√Hz

* Tensão de offset de entrada ...60 µV

*Pacotes ultrapequenos

− MSOP de 8 ou 10 pinos (TLC080/1/2/3)

 

descrição

Os primeiros membros da nova família de amplificadores operacionais de uso geral BiMOS da TI são os TLC08x.O conceito da família BiMOS é simples: fornecer um caminho de atualização para usuários BiFET que estão mudando de sistemas de alimentação dupla para sistemas de alimentação única e exigem maior desempenho CA e CC.Com desempenho classificado de 4,5 V a 16 V comercial (0°C a 70°C) e uma faixa de temperatura industrial estendida (-40°C a 125°C), o BiMOS se adapta a uma ampla gama de aplicações de áudio, automotivas, industriais e aplicações de instrumentação.Recursos familiares como pinos de anulação de deslocamento e novos recursos como MSOP PowerPADMTpacotes e modos de desligamento permitem níveis mais altos de desempenho em uma variedade de aplicativos.

 

Desenvolvidos no processo LBC3 BiCMOS patenteado pela TI, os novos amplificadores BiMOS combinam uma impedância de entrada muito alta, front-end CMOS de baixo ruído com um estágio de saída bipolar de alto acionamento, fornecendo assim os recursos de desempenho ideal de ambos.As melhorias de desempenho AC em relação aos predecessores TL08x BiFET incluem uma largura de banda de 10 MHz (um aumento de 300%) e ruído de tensão de 8,5 nV/√Hz (uma melhoria de 60%).As melhorias DC incluem um V garantidoICRque inclui aterramento, um fator de 4 redução na tensão de deslocamento de entrada para 1,5 mV (máximo) no grau padrão e uma melhoria na rejeição da fonte de alimentação de mais de 40 dB a 130 dB.Adicionada a esta lista de recursos impressionantes, está a capacidade de conduzir cargas de ± 50 mA confortavelmente a partir de um pacote MSOP PowerPAD ultrapequeno, que posiciona o TLC08x como a família ideal de amplificadores operacionais de propósito geral de alto desempenho.

 

classificações máximas absolutas sobre a faixa de temperatura operacional ao ar livre (a menos que indicado de outra forma)†

Tensão de alimentação, VDD(ver Nota 1) ..................................................17 V

Faixa de tensão de entrada diferencial, VEU IA................................................±VDD

Dissipação de potência total contínua..............................Consulte a Tabela de Classificação de Dissipação

Faixa de temperatura operacional ao ar livre, TA: sufixo C ................................0°C a 70°C

Eu sufixo .............................−40°C a 125°C

Temperatura máxima de junção, TJ...............................................0,150 °C

Faixa de temperatura de armazenamento, Tstg ..........................................−65°C a 150°C

Temperatura de chumbo 1,6 mm (1/16 pol.) da caixa por 10 segundos.........................260°C

 

† Estresses além dos listados em “classificações máximas absolutas” podem causar danos permanentes ao dispositivo.Estas são apenas classificações de estresse, e a operação funcional do dispositivo nessas ou em quaisquer outras condições além das indicadas em “condições operacionais recomendadas” não está implícita.A exposição a condições de classificação máxima absoluta por períodos prolongados pode afetar a confiabilidade do dispositivo.

NOTA 1: Todos os valores de tensão, exceto tensões diferenciais, são em relação ao GND.

 

TABELA DE CLASSIFICAÇÃO DE DISSIPAÇÃO

 PACOTE θJC(°C/W) θJA(°C/W) TA≤ 25°C CLASSIFICAÇÃO DE POTÊNCIA
D (8) 38,3 176 710 mW
D (14) 26,9 122,3 1022 mW
D (16) 25,7 114,7 1090 mW
DGN (8) 4,7 52,7 2,37 W
DGQ (10) 4,7 52,3 2,39 W
N (14, 16) 32 78 1600 mW
P (8) 41 104 1200 mW
PWP (20) 1,40 26,1 4,79 W

 

Condições de operação recomendadas

    MÍNIMO MÁXIMO UNIDADE
Tensão de alimentação, VDD Fornecimento único 4,5 16 V
Fornecimento dividido ±2,25 ±8
Tensão de entrada de modo comum, VICR GND VDD−2 V
Nível de tensão de ligar/desligar‡ VIH 2 V
VIL 0,8
Temperatura operacional ao ar livre, TA C-sufixo 0 70 °C
I-sufixo -40 125

‡ Em relação à tensão no terminal GND do dispositivo.

 

 

INFORMAÇÕES DE APLICAÇÃO

 

 

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