M95160-WMN6TP Componentes eletrônicos Barramento SPI serial de 16 Kbit EEPROM com clock de alta velocidade
electronics ic chip
,integrated circuit ic
Barramento SPI serial de 16 Kbits EEPROM com clock de alta velocidade
Características
• Compatível com o barramento Serial Peripheral Interface (SPI) • Matriz de memória
– 16 Kb (2 Kbytes) de EEPROM
– Tamanho da página: 32 bytes
• Escrever
- Byte Write dentro de 5 ms
– Gravação de página em 5 ms
• Write Protect: matriz de memória de um quarto, metade ou toda
• Relógio de alta velocidade: 20 MHz
• Tensão de alimentação única:
– 2,5 V a 5,5 V para M95160-W
– 1,8 V a 5,5 V para M95160-R
– 1,7 V a 5,5 V para M95160-DF
• Faixa de temperatura operacional:
de -40°C até +85°C
• Proteção ESD aprimorada
• Mais de 4 milhões de ciclos de gravação
• Mais de 200 anos de retenção de dados
• Pacotes - compatível com RoHS e livre de halogênio
Descrição
Os dispositivos M95160 são memórias programáveis eletricamente apagáveis (EEPROMs) organizadas em 2048 x 8 bits, acessadas através do barramento SPI
O M95160-W pode operar com uma tensão de alimentação de 2,5 V a 5,5 V, o M95160-R pode operar com uma tensão de alimentação de 1,8 V a 5,5 V e o M95160-DF pode operar com uma tensão de alimentação de 1,7 V a 5,5 V, em uma faixa de temperatura ambiente de -40 °C / +85 °C.
O M95160-D oferece uma página adicional, denominada Página de Identificação (32 bytes).A Página de Identificação pode ser usada para armazenar parâmetros de aplicação sensíveis que podem ser (posteriormente) permanentemente bloqueados no modo somente leitura.
Tabela 1. Nomes de sinais
| Nome do sinal | Função | Direção |
| C | Relógio Serial | Entrada |
| D | Entrada de Dados Seriais | Entrada |
| Q | Saída de Dados Seriais | Saída |
| S | Chip Select | Entrada |
| C | Proteção contra gravação | Entrada |
| SEGURAR | Segurar | Entrada |
| VCC | Tensão de alimentação | - |
| VSS | Chão | - |
Lista de estoque para sua referência
| NUC123LC2AN1 | 5120 | NUVOTON | 15+ | LQFP |
| LM380N | 4917 | NSC | 14+ | DIP-14 |
| MBR40250TG | 16825 | SOBRE | 16+ | TO-220 |
| MMSZ5227BT1G | 20000 | SOBRE | 16+ | SOD-123 |
| MC9S08AC32CFGE | 4534 | ESCALA LIVRE | 11+ | QFP |
| MC9S08PA32VLD | 4618 | ESCALA LIVRE | 15+ | LQFP |
| MSP430F2001IN | 6694 | TI | 14+ | PDIP |
| MMBT3906 | 20000 | SOBRE | 16+ | SOT-23 |
| AT24C04C-PUM | 1970 | ATMEL | 15+ | DIP-8 |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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