MC33179D chip amplificador ic Chip de circuito integrado AMPLIFICADORES OPERACIONAIS DE ALTA SAÍDA DE BAIXO RUÍDO
electronics ic chip
,integrated circuit components
MC33178 MC33179
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS DE ALTA SAÍDA DE BAIXA POTÊNCIA E BAIXO RUÍDO
A série MC33178/9 é uma família de amplificadores monolíticos de alta qualidade que empregam tecnologia bipolar com conceitos inovadores de alto desempenho para aplicações de processamento de sinal de dados e áudio de qualidade.Esta família de dispositivos incorpora o uso de transistores de entrada PNP de alta frequência para produzir amplificadores exibindo baixa tensão de deslocamento de entrada, ruído e distorção.Além disso, o amplificador fornece alta capacidade de corrente de saída enquanto consome apenas 420 µA de corrente de dreno por amplificador.O estágio de saída NPN usado não exibe distorção de crossover de banda morta, grande oscilação de tensão de saída, excelente fase e margens de ganho, baixa impedância de saída de alta frequência em malha aberta, fonte simétrica e desempenho de frequência CA de dissipação.
A família MC33178/9 oferece versões de amplificadores duplos e quádruplos, testados na faixa de temperatura veicular e estão disponíveis em pacotes DIP e SOIC.
• Capacidade de acionamento de saída de 600 Ω
• Grande oscilação de tensão de saída
• Baixa Tensão de Offset: 0,15 mV (Média)
• Baixo TC da Tensão de Offset de Entrada: 2,0 µV/°C
• Baixa distorção harmônica total: 0,0024% (@ 1,0 kHz com carga de 600 Ω)
• Largura de banda de alto ganho: 5,0 MHz
• Alta taxa de giro: 2,0 V/µs
• Operação de alimentação dupla: ±2,0 V a ±18 V
• Grampos ESD nas entradas aumentam a robustez sem afetar o desempenho do dispositivo
CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS
| Avaliação | Símbolo | Valor | Unidade |
| Tensão de alimentação (VCCpara VEE) | VS | +36 | V |
| Faixa de Tensão Diferencial de Entrada | VIDR | (Nota 1) | V |
| Faixa de tensão de entrada | VIR | (Nota 1) | V |
| Duração do Curto Circuito de Saída (Nota 2) | tSC | Indeterminado | segundo |
| Temperatura Máxima da Junção | TJ | +150 | °C |
| Amplitude Térmica de armazenamento | Tstg | –60 a +150 | °C |
| Dissipação Máxima de Potência | PD | (Nota 2) | mW |
NOTAS:
1. Uma ou ambas as tensões de entrada não devem exceder VCC ou VEE.
2. A dissipação de energia deve ser considerada para garantir que a temperatura máxima de junção (TJ) não seja excedida.(Consulte a característica de desempenho de dissipação de energia, Figura 1.)
INFORMAÇÕES SOBRE PEDIDOS
| Função de amplificador operacional | Totalmente Compensado | Faixa de temperatura operacional | Pacote |
| Dual |
MC33178D MC33178P |
TA= –40°C a +85°C |
SO-8 Plástico DIP |
| Quad |
MC33179D MC33179P |
TA= –40°C a +85°C |
SO-14 Plástico DIP |
| Imagem | parte # | Descrição | |
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Amplificadores operacionais duplos da única fonte de IC da gestão do poder de LM358DR2G |
General Purpose Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
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