SM6T6V8CA Eletrónica Circuito Integrado Chip Superfície Montado Supressor de Voltagem Transiente
electronics ic chip
,integrated circuit components
SM6T6V8CA Eletrónica Circuito Integrado Chip Superfície Montado Supressor de Voltagem Transiente
Série SM6T
Supressor de tensão transitória montado na superfície
VOLTAGEM de 5,0 a 220 volts
Potência de Pico de Pulso de 600 Watt
Características
• Para aplicações montadas em superfície, a fim de otimizar o espaço das placas
• Pacote discreto
• Relief de tensão incorporado
• Junção passivada de vidro
• Baixa indutividade
• Excelente capacidade de fixação
• Taxa de repetição (ciclo de trabalho):0.01%
• Tempo de resposta rápido: normalmente inferior a 1,0 ps de 0 volts a BV para tipos unidirecionais
• IR típico inferior a 1μA acima de 10V
• Soldadura a alta temperatura: 250°C/10 segundos nos terminais
• O pacote de plástico tem a classificação de inflamabilidade do laboratório de subscritores 94 V-O
DADOS MECÂNICOS
Caso: JEDEC DO214AA. Junção passivada de plástico moldeado sobre vidro
Terminais: Soldados, soldáveis de acordo com o MIL-STD-750, Método 2026
Polaridade: banda de cores denotada no extremo positivo (cátodo), exceto bidirecional
Embalagem padrão: fita de 12 mm (EIA STD RS-481)
Peso: 0,003 onças, 0,093 gramas)
Dispositivos para aplicações bipolares
Para utilização bidirecional Sufixo CA para os tipos SM6T6V8CA e SM6T220CA As características elétricas aplicam-se em ambas as direcções.
Classificações máximas e características
Nomenclaturas a temperatura ambiente de 25 °C, salvo especificação em contrário.
| Classificação | SÍMBOLO | VALOR | Unidades |
| Dissipação da potência de pulso de pico na forma de onda de 10/1000 μs (NOTA 1, 2, Fig.1) | PPPM | No mínimo 600 | Capacidade de produção |
| Corrente de pulso de pico de 10/1000 μs (nota 1, figura 3) | Eu...PPM | Ver TABELA 1 | Ampères |
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Corrente de onda de pico para a frente, 8,3 ms de onda sinusoidal única Superpostos sobre a carga nominal (Método JEDEC) (Nota 2, 3) |
Eu...FSM | 100 | Ampères |
| Funcionamento e faixa de temperatura de armazenamento | TJ, TGST | -55 + 150 | °C |
Nota:
1Impulso de corrente não repetitivo, por Figura 3 e desvalorizado acima de Ta=25 °C por Figura.2.
2. Montado em uma almofada de cobre de 0,8 x 0,8 " (20 x 20 mm) por figura.5.
3. 8,3 ms de onda sinusoidal única, ou onda quadrada equivalente, ciclo de trabalho = 4 pulsos por minuto no máximo.
Classificação e curvas características
Tensão de saturação material do coletor do silicone dos transistor de 2SD1899 NPN PNP baixa
Tevês transientes 5000W da proteção contra sobrecarga da tensão de BZW50-39BRL 180V Transil
Proteção contra sobrecarga transiente DO-15 da tensão de P6KE440ARL 15kV 600W
Transistor 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP através do furo ao elevado desempenho 220AB
Agrupamento atual bipolar do poder 65W HFE dos transistor 100V 6A de TIP42C NPN PNP
Do supressor transiente da tensão das tevês de SM6T15CAY montagem de superfície
2N7002 Diodo de chip NOVO E ORIGINAL
BCP52-16 ACERCA NOVA E ORIGINAL
STW45NM60 NOVO E ORIGINAL
STP110N8F6 EXPÓRIO NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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Tensão de saturação material do coletor do silicone dos transistor de 2SD1899 NPN PNP baixa |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
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Tevês transientes 5000W da proteção contra sobrecarga da tensão de BZW50-39BRL 180V Transil |
90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
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Proteção contra sobrecarga transiente DO-15 da tensão de P6KE440ARL 15kV 600W |
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
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Transistor 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP através do furo ao elevado desempenho 220AB |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
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Agrupamento atual bipolar do poder 65W HFE dos transistor 100V 6A de TIP42C NPN PNP |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
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Do supressor transiente da tensão das tevês de SM6T15CAY montagem de superfície |
27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
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2N7002 Diodo de chip NOVO E ORIGINAL |
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
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BCP52-16 ACERCA NOVA E ORIGINAL |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
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STW45NM60 NOVO E ORIGINAL |
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
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STP110N8F6 EXPÓRIO NOVO E ORIGINAL |
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
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