SPC6332S36RGB Chips de circuitos integrados de circuitos eletrónicos
electronics ic chip
,integrated circuit components
SPC6332S36RGB Chips de circuitos integrados de circuitos eletrónicos
Descrição
O SPC6332 é o modo de aprimoramento de N- e P-Channel. Os transistores de efeito de campo de potência são produzidos usando tecnologia de trincheira DMOS de alta densidade celular.Este processo de alta densidade é especialmente adaptado para minimizar a resistência no estado e fornecer desempenho de comutação superior.
Esses dispositivos são particularmente adequados para aplicações de baixa tensão, como gerenciamento de energia de computadores portáteis e outros circuitos movidos a bateria, onde a comutação de alto lado, baixa perda de energia em linha,e resistência a transientes são necessários.
Uma partedelista de estoques
C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
ACOPLADOR, PC817A | Atividade: | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
TRANS 2SS52M | Honeywell. | 2SSM/523-LF | TO-92 |
C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
C.I. SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
C.I L6219DS | S.T. | 135 | SOP-24 |
CAP 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
Indutor 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | A partir de 1 de janeiro de 2018 | SMD6045 |
O sistema de transmissão deve ser equipado com um sistema de transmissão de energia elétrica. | PAN | Equipamento de transmissão | SMD4*5.4 |
C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
CAP ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
C.I. SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
CAP CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
CAP CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
RES 3K3 5% CASO 0805RC0805JR-073K3L | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
TRIAC BTA26-600BRG | S.T. | 628 | TO-3P |
CAP 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Características
️ N-Channel
20V/0,95A,RDS ((ON) = 380mΩ@VGS=4,5V
20V/0,75A,RDS ((ON) = 450mΩ@VGS=2,5V
20V/0,65A,RDS ((ON) = 800mΩ@VGS=1,8V
¢ Canal P -20V/1,0A,RDS ((ON) = 520mΩ@VGS=-4,5V
-20V/0,8A,RDS ((ON) = 700mΩ@VGS=-2,5V -20V/0,7A,
RDS ((ON) = 950mΩ@VGS=-1,8V
Projeto de célula de densidade super elevada para RDS extremamente baixa (ON)
Capacidade excepcional de resistência e capacidade máxima de corrente contínua
Projeto do pacote SOT-363 (SC-70-6L)
Aplicações
z Gestão de energia no livro de notas
z Equipamento portátil
z Sistema a bateria
z Conversor DC/DC
z Interruptor de carga
z DSC
z Inversor de ecrã LCD
Disposição dos pinos