512 Kbit 1 Mbit 2 Mbit Muitos Tempos Flash programável LED Chip de Circuito Integrado SST27SF512-70-3C-PGE

512 Kbit 1 Mbit 2 Mbit Muitos Tempos Flash programável LED Chip de Circuito Integrado SST27SF512-70-3C-PGE

Características:

• Organizado como 64K x8 / 128K x8 / 256K x8

• Função de leitura de 4,5-5,5 V

• Confiabilidade superior

- Resistência: pelo menos 1000 ciclos

¢ Retenção de dados superior a 100 anos

• Baixo consumo de energia

Corrente ativa: 20 mA (típica)

Corrente de espera: 10 μA (típica)

• Tempo de acesso à leitura rápida ¥ 70 ns

• Operação de programa de byte rápido

Tempo de Byte-Programa: 20 μs (típico)

Tempo de programação:

1.4 segundos (típicos) para o SST27SF512

2.8 segundos (típicos) para o SST27SF010

5.6 segundos (típicos) para o SST27SF020

Descrição do produto

O SST27SF512/010/020 é um flash de baixo custo 64K x8 / 128K x8 / 256K x8 CMOS, Multi-Time Programmable (MTP), fabricado com a tecnologia SuperFlash proprietária e de alto desempenho da SST.O projeto de célula de porta dividida e o injetor de túnel de óxido espesso alcançam uma maior confiabilidade e fabricabilidade em comparação com abordagens alternativasEsses dispositivos MTP podem ser apagados e programados eletricamente pelo menos 1000 vezes usando um programador externo com uma fonte de alimentação de 12 V. Eles devem ser apagados antes da programação.Esses dispositivos estão em conformidade com os pin-outs padrão JEDEC para memórias de byte.

Com um Byte-Program de alto desempenho, o SST27SF512/010/020 fornece um tempo de Byte-Program de 20 μs. Projetado, fabricado e testado para um amplo espectro de aplicações,Estes dispositivos são oferecidos com uma duração mínima de 1000 ciclos.A retenção de dados é de mais de 100 anos.

Os SST27SF512/010/020 são adequados para aplicações que exigem gravações pouco frequentes e armazenamento não volátil de baixa potência.e desempenho ao mesmo tempo em que corresponde ao baixo custo em aplicações não voláteis que atualmente utilizam UV-EPROMs, OTPs, e ROMs de máscara.

Classificações máximas absolutas de esforço(As condições aplicadas superiores às indicadas na secção "Classificações máximas absolutas de tensão" podem causar danos permanentes ao dispositivo.Esta é apenas uma classificação de esforço e não se pressupõe que o dispositivo funcione nestas condições ou em condições superiores às definidas nas secções operacionais da presente ficha de dados.A exposição a condições de tensão máxima absoluta pode afectar a fiabilidade do dispositivo.)

Temperatura abaixo de Bias. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55°C a +125°C

Temperatura de armazenamento. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . - Não. . . . . . -65°C a +150°C D.C.

Voltagem em qualquer potencial de fixação. . . . . . . . . . . . . . . . .-0,5V a VDD+0,5V

Voltagem transitória (< 20 ns) em qualquer potencial de ligação ao solo. . ...-2,0 V para VDD+2,0 V

Tensão na A9 e VPP Pin para potencial de aterramento. . . . - Não. . . . . . . . . -0,5 V a 14,0 V

Capacidade de dissipação de potência do pacote (TA = 25°C). . . . . . . . . 1,0 W

Temperatura de soldadura de chumbo através do buraco (10 segundos). . . . . . . . . - Não. . . . . 300°C

Temperatura de refluxo da solda montada na superfície1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260 ° C durante 10 segundos Corrente de curto-circuito de saída2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 mA

Lista de existências