TPD4E001DBVR IC Chip Circuito Integrado Programa de Memória
electronics ic chip
,integrated circuit components
MATRIZ DE PROTEÇÃO ESD DE 4 CANAIS COM CAPACITÂNCIA DE 1,5 pF IO
Características
Matriz de braçadeira ESD de 4 canais para aprimorar
Proteção ESD no nível do sistema
• Excede os requisitos de proteção ESD IEC61000-4-2 (Nível 4)
– ±8-kV IEC 61000-4-2 Descarga de contato
– ±15-kV IEC 61000-4-2 Descarga em Entreferro
• ±15-kV Modelo de Corpo Humano (HBM)
• Corrente de pulso de pico de 5,5 A (pulso de 8/20 us)
• Baixa capacitância de entrada de 1,5 pF
• Corrente de fuga baixa de 1-nA (Máx.)
• Faixa de tensão de alimentação de 0,9 V a 5,5 V
• Opções de pacote DRL, DBV, DCK e DRS com economia de espaço
DESCRIÇÃO/INFORMAÇÕES DE PEDIDO
O TPD4E001 é um arranjo de diodos de proteção ESD de ±15 kV de baixa capacitância projetado para proteger eletrônicos sensíveis conectados a linhas de comunicação.Cada canal consiste em um par de diodos que orientam os pulsos de corrente ESD para VCC ou GND.
O TPD4E001 protege contra pulsos ESD de até ±15 kV modelo de corpo humano (HBM), ±8 kV descarga de contato e ±15 kV descarga de entreferro, conforme especificado em IEC 61000-4-2.Este dispositivo tem uma capacitância IO de 1,5 pF por canal, tornando-o ideal para uso em interfaces IO de dados de alta velocidade.
A corrente de fuga ultrabaixa (<1 nA máx.) é adequada para medições analógicas de precisão em aplicações como medidores de glicose, monitores de frequência cardíaca, etc. O TPD4E001 está disponível em DRL, DBV (SOT-23), DCK (SC-70), e pacotes DRS (QFN) e é especificado para operação de –40°C a 85°C.
| CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS(1) |
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VCC –0,3 7 V VI/O
Tolerância de tensão IO -0,3 VCC + 0,3 V
Tstg Faixa de temperatura de armazenamento -65 150 °C
Temperatura da junção TJ 150 °C
Infravermelho (15 s) 220 Temperatura de colisão (solda) °C
Fase de vapor (60 s) 215
Temperatura do chumbo (solda, 10 s) 300 °C
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PARTE DE ESTOQUE
| ATMEGA328P-MU | TLP620GB |
| RX73BW3ATTE620J | LPC812M101JDH20FP |
| 1SMA5932BT3G | ESDA6V1L |
| BC856BT | TLC59283DBQR |
| SN74LS244N | CA3140EZ |
| ADA4528-2ARMZ | IRFZ46NPBF |
| OPA07CSZ | IRF4905PBF |
| 742792118* | A30-400 |
| OPA333AIDCKR | A30-500 |
| SAK-C167CS-LMCA | A30-600 |
| ATM46C3 | A30-800 |
| A2C56211 | HFJ11-2450E-L21 |
| U705 SDIC03 | CR2354/HFN |
| BP3125 | TMS320VC5402PGE100 |
| PIC16F883-I/SO | PCA9534DW |
| PIC16F883-I/SO | BD677A |
| IRFPE50 | TZM5237B-GS08 |
| VT6315N | TZM5256B-GS08 |
| SKA3/17 | TOP232PN |
| STK672-040E | IS31AP4991-GRLSZ-TR |
| AM29F400BT-70ED | NCS2211DR2G |
| TL7705ACDR | LM4861MX |
Canal SOT143 da disposição 2 da proteção do Esd da capacidade de TPD2E001DZDR baixo
Dispositivo de proteção do canal SOT23-6 500mW ESD do quadrilátero TPD4E1U06
CC2420RGZT IC de memória flash NOVO E ORIGINAL
CC2541F256RHAR IC de memória flash NOVO E ORIGINAL
Transceptor eletrônico do RF do poder de Chips Single Chip Very Low do circuito integrado de CC1000PW
Da precisão eletrônica do circuito integrado de LM35DM sensores de temperatura centígrados
| Imagem | parte # | Descrição | |
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Canal SOT143 da disposição 2 da proteção do Esd da capacidade de TPD2E001DZDR baixo |
Clamp Ipp Tvs Diode Surface Mount 4-SOP
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Dispositivo de proteção do canal SOT23-6 500mW ESD do quadrilátero TPD4E1U06 |
15V (Typ) Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SOT-23-6
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CC2420RGZT IC de memória flash NOVO E ORIGINAL |
IC RF TxRx Only 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN Exposed Pad
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CC2541F256RHAR IC de memória flash NOVO E ORIGINAL |
IC RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.0 2.4GHz 40-VFQFN Exposed Pad
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Transceptor eletrônico do RF do poder de Chips Single Chip Very Low do circuito integrado de CC1000PW |
IC RF TxRx Only General ISM < 1GHz 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Da precisão eletrônica do circuito integrado de LM35DM sensores de temperatura centígrados |
Temperature Sensor Analog, Local 0°C ~ 100°C 10mV/°C 8-SOIC
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