EEPROM de acesso serial MICROWIRE M93S46-WMN6TP com proteção de bloco
electronics ic chip
,integrated circuit ic
EEPROM de acesso serial MICROWIRE M93S46-WMN6TP com proteção de bloco
RESUMO DAS CARACTERÍSTICAS
Barramento MICROWIRE padrão da indústria
Tensão de alimentação única: – 4,5 a 5,5 V para M93Sx6 – 2,5 a 5,5 V para M93Sx6-W – 1,8 a 5,5 V para M93Sx6-R Organização individual: por palavra (x16)
Instruções de programação que funcionam em: Palavra ou Memória Inteira
Ciclo de programação cronometrado com AutoErase
Área protegida contra gravação definida pelo usuário
Modo de gravação de página (4 palavras)
Sinal de Pronto/Ocupado Durante a Programação
Velocidade:
– Taxa de clock de 1 MHz, tempo de gravação de 10 ms (produto atual, identificado pela letra de identificação do processo F ou M) – Taxa de clock de 2 MHz, tempo de gravação de 5 ms (Produto novo, identificado pela letra de identificação do processo W ou G) Operação de leitura sequencial
Comportamento aprimorado de ESD/latch-up
Mais de 1 milhão de ciclos de apagar/gravar
Mais de 40 anos de retenção de dados
DESCRIÇÃO DO SUMÁRIO
Esta especificação abrange uma gama de produtos de memória programável eletricamente apagável (EEPROM) 4K, 2K, 1K bit (respectivamente para M93S66, M93S56, M93S46).Neste texto, esses produtos são referidos coletivamente como M93Sx6.
O M93Sx6 é acessado através de uma entrada serial (D) e saída (Q) usando o protocolo de barramento MICROWIRE.A memória é dividida em palavras de 256, 128, 64 x16 bits (respectivamente para M93S66, M93S56, M93S46).O M93Sx6 é acessado por um conjunto de instruções que inclui Read, Write, Page Write, Write All e instruções usadas para definir a proteção de memória.Estes são resumidos na Tabela 2. e Tabela 3.).Uma instrução Read Data from Memory (READ) carrega o endereço da primeira palavra a ser lida em um ponteiro de endereço interno.Os dados contidos neste endereço são então cronometrados em série.O ponteiro de endereço é incrementado automaticamente após a saída dos dados e, se a entrada de seleção de chip (S) for mantida alta, o M93Sx6 pode emitir um fluxo sequencial de palavras de dados.Desta forma, a memória pode ser lida como um fluxo de dados de 16 a 4096 bits (para o M93S66), ou continuamente, pois o contador de endereços rola automaticamente para 00h quando o endereço mais alto é alcançado.Dentro do tempo requerido por um ciclo de programação (tW), até 4 palavras podem ser escritas com a ajuda da instrução Page Write.toda a memória também pode ser apagada ou definida para um padrão predeterminado, usando a instrução Write All.Dentro da memória, uma área definida pelo usuário pode ser protegida contra outras instruções de gravação.O tamanho desta área é definido pelo conteúdo de um Registro de Proteção, localizado fora da matriz de memória.Como etapa final de proteção, os dados podem ser permanentemente protegidos pela programação de um bit de Programação Única (bit OTP) que bloqueia o conteúdo do Registro de Proteção.A programação é cronometrada internamente (o sinal de clock externo no Serial Clock (C) pode ser interrompido ou deixado em execução após o início de um ciclo de gravação) e não requer um ciclo de apagamento antes da instrução de gravação.A instrução Write grava 16 bits por vez em uma das localizações de palavra do M93Sx6, a instrução Page Write grava até 4 palavras de 16 bits em localizações sequenciais, assumindo em ambos os casos que todos os endereços estão fora da área protegida contra gravação.Após o início do ciclo de programação, um sinal de Ocupado/Pronto estará disponível na Saída de Dados Seriais (Q) quando a Entrada de Seleção de Chip (S) estiver em Alta.

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL

Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF

Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero

Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485

SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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