M29W640FB70N6E Programação Chips Ic 64 Mbit (8Mb x8 ou 4Mb x16, Page, Boot Block) 3V Fornecimento de Memória Flash
programming ic chips
,programmable audio chip
M29W640FB Programação Chips Ic 64 Mbit (8Mb x8 ou 4Mb x16 , Page , Boot Block ) 3V Fornecimento de Memória Flash
Resumo dos recursos
• Tensão de alimentação
– VCC= 2,7 V a 3,6 V para Programar, Apagar, Ler
– VPP=12 V para Programa Rápido (opcional)
• Leitura de página/aleatória assíncrona
– Largura da página: 4 palavras
– Acesso à página: 25ns
- Acesso aleatório: 60ns, 70ns
• Tempo de Programação
– 10 µs por Byte/Word típico
– Programa de 4 palavras/8 bytes
• 135 blocos de memória
– 1 Bloco de Inicialização e 7 Blocos de Parâmetros, 8 KBytes cada (Localização Superior ou Inferior)
– 127 blocos principais, 64 KBytes cada
• Programar/Apagar Controlador
– Algoritmos de programa de bytes/palavras incorporados
• Programar/Apagar Suspender e Retomar
– Ler de qualquer Bloco durante a Suspensão do Programa
- Leia e programe outro bloco durante a suspensão de apagamento
• Desbloquear o comando do programa de bypass
– Produção mais rápida/programação em lote
• VPPPino /WP para programa rápido e proteção contra gravação
• Modo de desproteção de bloqueio temporário
• Interface Flash Comum
- Código de segurança de 64 bits
• Bloco de memória estendido
– Bloco extra usado como bloco de segurança ou para armazenar informações adicionais
• Baixo consumo de energia
– Modo de espera e modo de espera automático
• 100.000 ciclos de programa/apagamento por bloco
• Assinatura Eletrônica
– Código do fabricante: 0020h
Classificação máxima
Estressar o dispositivo acima da classificação listada na tabela de classificações máximas absolutas pode causar danos permanentes ao dispositivo.A exposição às condições de classificação máxima absoluta por períodos prolongados pode afetar a confiabilidade do dispositivo.Estas são apenas classificações de estresse e a operação do dispositivo nessas ou em quaisquer outras condições acima das indicadas nas seções de operação desta especificação não está implícita.Consulte também o Programa STMicroelectronics SURE e outros documentos de qualidade relevantes.
Classificações Máximas Absolutas
| Símbolo | Parâmetro | mín. | máx. | Unidade |
| TVIÉS | Temperatura sob polarização | –50 | 125 | °C |
| TSTG | Temperatura de armazenamento | -65 | 150 | °C |
| VES | Tensão de entrada ou saída(1)(2) | –0,6 | VCC+0,6 | V |
| VCC | Tensão de alimentação | –0,6 | 4 | V |
| VEU IA | Tensão de Identificação | –0,6 | 13.5 | V |
| VPP (3) | Voltagem do programa | –0,6 | 13.5 | V |
1. A tensão mínima pode atingir –2V durante a transição e menos de 20ns durante as transições.
2. A tensão máxima pode ultrapassar VCC +2V durante a transição e menos de 20ns durante as transições.
3. VPPnão deve permanecer em 12V por mais de um total de 80hrs.
pacotes
Diagrama Lógico
Conexões TSOP
Conexões TFBGA48(Vista superior através do pacote)
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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