MB85RS256BPNF-G-JNERE1 Chips programáveis IC Chip eletrônico Ic TV colorida Memória IC Flash Chip
programming ic chips
,programmable audio chip
MB85RS256BPNF-G-JNERE1 Program IC Chip Eletrônico
Memória FRAM CMOS 256 K (32 K ] 8) Bit SPI
CARACTERÍSTICAS:
• Configuração de bits: 32.768 × 8 bits
• Tensão da fonte de alimentação operacional: 3,0 V a 3,6 V
• Frequência operacional: 15 MHz (Máx.)
• Interface Periférica Serial: SPI (Interface Periférica Serial) Correspondente ao modo SPI 0 (0, 0) e modo 3 (1, 1)
• Faixa de temperatura operacional: -20 °C a +85 °C
• Retenção de dados: 10 anos (+55 °C)
• Leitura/gravação de 10 bilhões de alta resistência (Min)
• Pacote: SOP de plástico de 8 pinos (FPT-8P-M02)
Descrição geral
O MB85RS256 é um chip FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) em uma configuração de 32.768 palavras × 8 bits, usando o processo ferroelétrico e as tecnologias de processo CMOS de porta de silício para formar as células de memória não voláteis.
MB85RS256 adota a interface serial periférica (SPI).Ao contrário da SRAM, o MB85RS256 é capaz de reter dados sem bateria de reserva.As células de memória usadas para o MB85RS256 melhoraram pelo menos 1010 vezes a operação de leitura/gravação, superando significativamente a memória Flash e E2PROM em número.
O MB85RS256 não leva muito tempo para gravar dados ao contrário das memórias Flash nem E2PROM, e o MB85RS256 não leva tempo de espera.
| CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS(1) |
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Tensão da fonte de alimentação VDD 3,0 3,3 3,6 V Entrada de alta tensão VIH 0,8 × VDD ⎯ VDD + 0,5 V Baixa tensão de entrada VIL − 0,5 ⎯ + 0,6 V Temperatura operacional TA − 20 ⎯ + 85 °C |
| TRANS BC847BLT1 | 18000 | SOBRE | CHINA |
| RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | CHINA |
| RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | CHINA |
| DIODO DF06S | 3000 | setembro | CHINA |
| CAP 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | JAPÃO |
| DIODO US1A-13-F | 50000 | DIODOS | MALÁSIA |
| INDUTOR.100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | JAPÃO |
| RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
| RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | CHINA |
| DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | MALÁSIA |
| RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
| DIODO UF4007 AMMO | 500000 | microfone | CHINA |
| TRANS.ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAIWAN |
| RES 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | YAGEO | CHINA |
| ACOPLADOR OTICO.MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE-ON | TAIWAN |
| TRANS MMBT2907A-7-F | 30000 | DIODOS | MALÁSIA |
| TRANS STGW20NC60VD | 1000 | ST | MALÁSIA |
| CI LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | TAILÂNDIA |
| CI MC33298DW | 1000 | MOT | MALÁSIA |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | MALÁSIA |
| CI P8255A5 | 4500 | INTEL | JAPÃO |
| CI HM6116P-2 | 5000 | HITACHI | JAPÃO |
| CI DS1230Y-150 | 2400 | DALLAS | FILIPINAS |
| TRANS.ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAIWAN |
| TRIAC BT151-500R | 500000 | MARROCOS | |
| CI HCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAIWAN |
| TRIAC TIC116M | 10000 | TI | TAILÂNDIA |
| DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | MALÁSIA |
| DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | MALÁSIA |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAIWAN |
| CI CD40106BE | 250 | TI | TAILÂNDIA |
| ACOPLADOR PC733H | 1000 | AFIADO | JAPÃO |
| TRANS NDT452AP | 5200 | FSC | MALÁSIA |
| CI LP2951-50DR | 1200 | TI | TAILÂNDIA |
| CI MC7809CD2TR4G | 1200 | SOBRE | MALÁSIA |
| DIODO MBR20200CTG | 22000 | SOBRE | MALÁSIA |
| FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELEFUSEI | TAIWAN |
| CI TPIC6595N | 10000 | TI | TAILÂNDIA |
| EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | MALÁSIA |
| DIODO 1N4004-T | 5000000 | microfone | CHINA |
| CI CD4060BM | 500 | TI | TAILÂNDIA |
| ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | MALÁSIA |
| DIODO W08 | 500 | setembro | CHINA |
| CI SN74HC373N | 1000 | TI | FILIPINAS |
| FOTOSENSOR 2SS52M | 500 | poço de mel | JAPÃO |
| CI SN74HC02N | 1000 | TI | TAILÂNDIA |
| CI CD4585BE | 250 | TI | TAILÂNDIA |
| CI MT46H32M16LFBF-6IT:C | 40 | MICRON | MALÁSIA |
| DIODO MMSZ5242BT1G | 30000 | SOBRE | MALÁSIA |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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