NAND128W3A2BN6E NAND512W3A2SN6E Program IC Chip Color TV Ic Memory Flash Chip
programming ic chips
,programmable audio chip
NAND128-A, NAND256-A NAND512-A, NAND01G-A 128
Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1,8 V/3 V, Memórias Flash NAND
CARACTERÍSTICAS:
■ MEMÓRIAS FLASH NAND DE ALTA DENSIDADE
– Matriz de memória de até 1 Gbit
– Até 32 Mbit de área livre
– Soluções econômicas para aplicações de armazenamento em massa
■ INTERFACE NAND - largura de barramento x8 ou x16
– Endereço/dados multiplexados
– Compatibilidade de pinagem para todas as densidades
■ TENSÃO DE ALIMENTAÇÃO
– Dispositivo de 1,8 V: VDD = 1,7 a 1,95 V
– Dispositivo de 3,0 V: VDD = 2,7 a 3,6 V
■ TAMANHO DA PÁGINA
– dispositivo x8: (512 + 16 sobressalentes) Bytes
– dispositivo x16: (256 + 8 sobressalentes) Palavras
■ TAMANHO DO BLOCO
– dispositivo x8: (16K + 512 sobressalentes) Bytes
– dispositivo x16: (8K + 256 sobressalentes) Palavras
■ LER PÁGINA / PROGRAMA
– Acesso aleatório: 12µs (máx.)
– Acesso sequencial: 50ns (min)
– Tempo do programa de página: 200µs (típico)
■ COPIAR DE VOLTA MODO DE PROGRAMA
– Cópia rápida de página sem buffer externo
■ APAGAR BLOCO RÁPIDO - Tempo de apagamento do bloco: 2ms (Típico)
■ REGISTRO DE ESTADO
■ ASSINATURA ELETRÔNICA
■ CHIP ATIVAR A OPÇÃO 'NÃO SE IMPORTA'
– Interface simples com microcontrolador
■ OPÇÃO DE NÚMERO DE SÉRIE
■ PROTEÇÃO DE DADOS DE HARDWARE
– Program/Erase bloqueado durante as transições de energia
| CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS(1) |
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Tensão de base do coletor VCBO -60 V |
| TRANS BC847BLT1 | 18000 | SOBRE | CHINA |
| RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | CHINA |
| RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | CHINA |
| DIODO DF06S | 3000 | setembro | CHINA |
| CAP 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | JAPÃO |
| DIODO US1A-13-F | 50000 | DIODOS | MALÁSIA |
| INDUTOR.100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | JAPÃO |
| RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
| RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | CHINA |
| DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | MALÁSIA |
| RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
| DIODO UF4007 AMMO | 500000 | microfone | CHINA |
| TRANS.ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAIWAN |
| RES 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | YAGEO | CHINA |
| ACOPLADOR OTICO.MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE-ON | TAIWAN |
| TRANS MMBT2907A-7-F | 30000 | DIODOS | MALÁSIA |
| TRANS STGW20NC60VD | 1000 | ST | MALÁSIA |
| CI LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | TAILÂNDIA |
| CI MC33298DW | 1000 | MOT | MALÁSIA |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | MALÁSIA |
| CI P8255A5 | 4500 | INTEL | JAPÃO |
| CI HM6116P-2 | 5000 | HITACHI | JAPÃO |
| CI DS1230Y-150 | 2400 | DALLAS | FILIPINAS |
| TRANS.ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAIWAN |
| TRIAC BT151-500R | 500000 | MARROCOS | |
| CI HCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAIWAN |
| TRIAC TIC116M | 10000 | TI | TAILÂNDIA |
| DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | MALÁSIA |
| DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | MALÁSIA |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAIWAN |
| CI CD40106BE | 250 | TI | TAILÂNDIA |
| ACOPLADOR PC733H | 1000 | AFIADO | JAPÃO |
| TRANS NDT452AP | 5200 | FSC | MALÁSIA |
| CI LP2951-50DR | 1200 | TI | TAILÂNDIA |
| CI MC7809CD2TR4G | 1200 | SOBRE | MALÁSIA |
| DIODO MBR20200CTG | 22000 | SOBRE | MALÁSIA |
| FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELEFUSEI | TAIWAN |
| CI TPIC6595N | 10000 | TI | TAILÂNDIA |
| EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | MALÁSIA |
| DIODO 1N4004-T | 5000000 | microfone | CHINA |
| CI CD4060BM | 500 | TI | TAILÂNDIA |
| ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | MALÁSIA |
| DIODO W08 | 500 | setembro | CHINA |
| CI SN74HC373N | 1000 | TI | FILIPINAS |
| FOTOSENSOR 2SS52M | 500 | poço de mel | JAPÃO |
| CI SN74HC02N | 1000 | TI | TAILÂNDIA |
| CI CD4585BE | 250 | TI | TAILÂNDIA |
| CI MT46H32M16LFBF-6IT:C | 40 | MICRON | MALÁSIA |
| DIODO MMSZ5242BT1G | 30000 | SOBRE | MALÁSIA |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL
Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485
SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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