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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Computador Chip Board do circuito do Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench do canal de N

Computador Chip Board do circuito do Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench do canal de N

Computador Chip Board do circuito do Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench do canal de N
Computador Chip Board do circuito do Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench do canal de N
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem 8-SOIC da superfície 2.5W do N-canal 30 V 14.5A (Ta) (Ta)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
negotiation
Método do pagamento:
T/T adiantado ou outro
Especificações
Tensão da Dreno-fonte:
30V
Linha principal:
CI, módulo, transistor, diodos, capacitor, resistor etc.
Tensão da Porta-fonte:
±20V
Temperatura:
-50-+150°C
Bloco da fábrica:
2500PCS/REEL
Pacote:
SOP-8
Destaque:

electronic chip board

,

electronic components ic

Introdução

Computador Chip Board do circuito do Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench do canal de N

estoque original dos componentes eletrônicos de PowerTrench FDS6676AS do N-canal 30V

Descrição geral

O FDS6676AS é projetado substituir um únicos MOSFET SO-8 e diodo de Schottky em síncrono

C.C.: Fontes de alimentação de DC. Este MOSFET 30V é projetado maximizar a eficiência de conversão do poder, fornecendo um baixo RDS (SOBRE) e a baixa carga da porta. O FDS6676AS inclui um diodo integrado de Schottky usando a tecnologia monolítica do SyncFET de Fairchild.

Aplicações

• Conversor de DC/DC

• Baixo caderno lateral

Características

• A 14,5, 30 mΩ do max= 6,0 do V. RDS (SOBRE) @ VGS = 10 mΩ do max= 7,25 de V RDS (SOBRE) @ VGS = 4,5 V

• Inclui o diodo do corpo de SyncFET Schottky

• Baixa carga da porta (45nC típicos)

• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (SOBRE) e o interruptor rápido

• Poder superior e capacidade de manipulação atual

Avaliações máximas absolutas TA=25o C salvo disposição em contrário

Símbolo Parâmetro Avaliação Unidade
VDSS Tensão da Dreno-fonte 30 V
VGSS Tensão da Porta-fonte ±20 V
Identificação

Drene atual – contínuo (nota 1a)

– Pulsado

 14,5
50
Paládio

Dissipação de poder para a única operação (nota 1a)

(Nota 1b)

(Nota 1c)

 2,5 W
1,5
1
TJ, TSTG Variação da temperatura da junção do funcionamento e do armazenamento – 55 a +150 °C

Características térmicas

RθJA Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 1a) 50 W/°C
RθJC Resistência térmica, Junção-à-caso (nota 1) 25

Marcação do pacote e informação pedindo

Marcação do dispositivo Dispositivo Tamanho do carretel Largura da fita Quantidade
FDS6676AS FDS6676AS 13" 12MM 2500 unidades
FDS6676AS FDS6676AS_NL 13" 12MM 2500 unidades

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