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Entrada NEM porta triplicar-se 3 capacidade de alta velocidade da saída dos dispositivos do CMOS da Si-porta 74HC27D, 653

fabricante:
Fabricante
Descrição:
NEM canal 14-SO de IC 3 da porta
Categoria:
Chips de circuito integrado
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Temperatura de armazenamento:
°C -55 a +150
Temperatura de funcionamento:
°C -55 a +100
Temperatura da solda da onda (veja a página 14 para perfis da solda do reflow):
260 para o °C de 10 segundos
A dissipação de poder total do dispositivo @ Ta = 25°C Derate acima de 25°C:
250 mW
DC/Average entrou para a frente atual:
100 (non-M), 60 (- M) miliampères
Destaque:

electronic chip board

,

electronic components ic

Introdução

Entrada triplicar-se 3 NEM porta 74HC/HCT27


CARACTERÍSTICAS

• Capacidade da saída: padrão

• Categoria ICC: SSI

DESCRIÇÃO GERAL

Os 74HC/HCT27 são dispositivos de alta velocidade do CMOS da Si-porta e são pino compatível com baixa potência Schottky TTL (LSTTL). São especificados em conformidade com no. padrão 7A de JEDEC. Os 74HC/HCT27 fornecem os 3 entrada NEM função.

Notas

1. O CPD é usado para determinar a dissipação de poder dinâmica (paládio no µW): × do × VCC2 do paládio = do CPD fi + ∑ (× FO do × VCC2 do CL) onde: frequência do fi = da entrada no megahertz frequência das FO = da saída no ∑ do megahertz (× FO do × VCC2 do CL) = soma da capacidade da carga do CL = da saída das saídas em PF VCC = tensão de fonte em V

2. Para HC a circunstância é VI = terra a VCC para HCT que a circunstância é VI = terra VCC ao − 1,5 V

SÍMBOLO PARÂMETRO CIRCUNSTÂNCIAS

TÍPICO

UNIDADE
HC HCT
tPLH de tPHL/ nA do atraso de propagação, N.B., nC ao nY CL = 15 PF; VCC = 5 V 8 10 ns
CI capacidade da entrada 3,5 3,5 PF
CPD capacidade da dissipação de poder pela porta notas 1 e 2 24 30 PF

FORMAS DE ONDA DA C.A.

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