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74AUP1G157GW, 125 microplaqueta de IC do multiplexer da entrada do poder 2 de Chips Low da placa de circuito

fabricante:
Fabricante
Descrição:
2:1 6-TSSOP do Multiplexer 1 x
Categoria:
Chips de circuito integrado
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Linha principal:
CI, módulo, transistor, diodos, capacitor, resistor etc.
Pagamento:
T/T, Paypal
Pacote:
SOT-363
Tensão de entrada de Digitas:
0 V a + 3.6V
Tensão da saída de Digitas:
0V a +3,6 V
Expedição:
FEDEX, DHL, EMS, TNT
Temperatura:
°C −40 ao °C +125
Dissipação de poder:
250 m/W
Destaque:

electronic chip board

,

electronic components ic

Introdução
74AUP1G157
Multiplexer da entrada da baixa potência 2

1. Descrição geral

O 74AUP1G157 é uma de capacidade elevada, baixa potência, de baixa voltagem, dispositivo do CMOS da Si-porta, superior à maioria de famílias compatíveis avançadas do CMOS TTL. A ação do disparador de Schmitt em todas as entradas faz o circuito tolerante a uma elevação da entrada e a uns tempos de queda mais lentos através da escala VCC inteira de 0,8 V a 3,6 V.

Este dispositivo assegura um consumo de potência estático e dinâmico muito baixo através da escala VCC inteira de 0,8 V a 3,6 V. Este dispositivo é especificado inteiramente para aplicações parciais do poder-para baixo usando IOFF.

Os circuitos de IOFF desabilitam a saída, impedindo o recuo prejudicial atual através do dispositivo quando são postos para baixo.

O 74AUP1G157 é um único multiplexer de 2 entradas que dados seletos de duas entradas de dados (I0 e I1) sob o controle de uma entrada seleta dos dados comuns (s).

O estado da entrada seleta dos dados comuns determina o registro particular de que os dados vêm. A saída (Y) apresenta os dados selecionados no formulário (não-invertido) verdadeiro.

2. Características

■Escala larga da tensão de fonte de 0,8 V a 3,6 V

■Imunidade de ruído alta

■Cumpre com os padrões de JEDEC:

◆JESD8-12 (0,8 V 1,3 V) ao ◆ JESD8-11 (0,9 V a V) 1,65

◆JESD8-7 (1,2 V V) 1,95 ao ◆ JESD8-5 (1,8 V a 2,7 V)

◆JESD8-B (2,7 V a 3,6 V)

■Proteção do ESD:

◆A classe 3A de HBM JESD22-A114-D excede 4000 V

◆O milímetro JESD22-A115-A excede 200 V

◆CDM JESD22-C101-C excede 1000 V

■Baixo consumo de potência estático; ICC = 0,9 µA (máximo)

■O desempenho da trava-acima excede 100 miliampères pela classe de JESD 78 II

■As entradas aceitam tensões até 3,6 V

■De baixo nível de ruído ultrapasse e undershoot < 10="">

■Os circuitos de IOFF fornecem a operação parcial do modo do poder-para baixo

■Opções múltiplas do pacote

■Especificado do °C −40 ao °C +85 e do °C −40 ao °C +125

Uma parte da lista conservada em estoque

TAMPÃO 0402 100NF 16V X7R CL05B104KO5NNNC SAMSUNG AC4J02C SMD0402
DIODO SMCJ5.0A-E3/57T VISHAY 1613/GDE SMC
INDUTOR 0805 220R BLM21PG221SN1L MURATA AM6127681 SMD0805
RES 0R 5%
RC0805JR-070RL
YAGEO 1612 SMD0805
RES 0402 0R 5%
RC0402JR-070RL
YAGEO 1612 SMD0402
RES 0402 100K 5% RC0402JR-07100KL YAGEO 1614 SMD0402
RES 2512 0R22 1%
RL2512FK-070R22L
YAGEO 1614 SMD2512
TRANSPORTE NDT452AP FSC DH42AD SOT-223
FUSIVEL 30R250UU LITTELFUSEI 16/03/25/30/250U/P03L DIP-2
DIODO MBR20200CTG EM NSD618 TO-220
CI TL431CDBZR SI T3CU SOT-23
Transporte. BC817-25 1412/6BW SOT-23
C.I LM35DZ SI 620K9 TO-92
TAMPÃO 100NF 100V 5% CL21B104JCCNNNC SAMSUNG AC3L01F SMD0805
TAMPÃO 100NF 50V 5% CL21B104JBCNNNC SAMSUNG AC1N08K SMD0805
RES 0805 3K3 1%
RC0805FR-073K3L
YAGEO 1615 SMD0805
DIODO ES1D-E3-61T VISHAY 1423/ED SMA
C.I DAC 5571IDBVT SI D571 SOT23-6
C.I AME1085ACDT3 AME 36 TO-263
C.I LPC1788FBD208,551 1549 LQFP-208
C.I MC34063EBD-TR ST E9812 SOP-8
C.I 74HC244DB, 118 1418 SSOP-20
DIODO TPD4E001DBVR SI NFYF SOT23-6
C.I BD9781HFP-TR ROHM 807/808 TO-263
RELE G8P-1A4P-DC12 OMRON 29X5C1 MERGULHO
OPTOACOPLADOR VOM617A-3T VISHAY V442 SOP-4
Transporte. FDS6699S FSC PG9AF SOP-8
CI M24C04-WMN6TP ST K314S SOP-8
CI LP2951-50DR SI KY5150/61MADTT SOP-8
DIODO VESD05-02V-G-08MEPC VISHAY VC SOD523
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MOQ:
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