Microplaqueta digital do circuito integrado dos circuitos integrados de AT45DB011D-SH-B um volt DataFlash mínimo de 1 megabit 2,7

1-megabit 2,7 volt DataFlash mínimo AT45DB011D

Características

• Único 2.7V à fonte 3.6V

• Relação de série de RapidS®: 66 megahertz de frequência de pulso de disparo máxima

– Modos compatíveis 0 e 3 de SPI

• Tamanho de página configurável do usuário

– 256 bytes pela página

– 264 bytes pela página

– O tamanho de página pode ser fábrica Pre-configurada para 256 bytes

• Operação do programa da página

– Operação de programação inteligente

– 256/264 de byte/página) memória central de 512 páginas (

• Flexível apague opções

– A página apaga (256 bytes)

– O bloco apaga (2 Kbytes)

– O setor apaga (32 Kbytes)

– Chip Erase (1 Mbits)

• Um amortecedor de dados de SRAM (256/264 dos bytes)

• Capacidade lida contínua com a disposição inteira

– Ideal para o código que sombreia aplicações

• Dissipação da baixa potência

– corrente lida ativa de 7 miliampère típica

– 25 típicos atuais do apoio do µA

– poder-para baixo profundo de 5 µA típico

• Características de proteção de dados do hardware e do software

– Setor individual

• Lockdown do setor para o armazenamento de dados seguro do código e

– Setor individual

• Segurança: registro de uma segurança de 128 bytes

– espaço programável do usuário de 64 bytes

– Identificador de dispositivo original de 64 bytes

• A identificação padrão do fabricante e do dispositivo de JEDEC leu

• 100.000 programas/apagam ciclos pelo mínimo da página

• Retenção dos dados – 20 anos

• Variação da temperatura industrial

• Opções de empacotamento do verde (Pb/Halide-free/RoHS complacente)

Descrição

O AT45DB011D é um 2.7V, uma memória Flash da de série-relação serida idealmente para uma grande variedade de voz digital, uma imagem, um código do programa e umas aplicações do armazenamento de dados. O AT45DB011D apoia a relação de série da corredeira para as aplicações que exigem operações muito de alta velocidade. A relação de série da corredeira é SPI compatível para frequências até 66 megahertz. Seus 1.081.344 bocados da memória são organizados como 512 páginas de 256 bytes ou de 264 bytes cada um. Além do que a memória central, o AT45DB011D igualmente contém um amortecedor de SRAM de 256/264 dos bytes. A emulation de EEPROM (mutabilidade do bocado ou do byte) é segurada facilmente com uns três que independentes a etapa ler-alterar-escreve a operação. Ao contrário das memórias Flash convencionais que são alcançadas aleatoriamente com linhas múltiplas do endereço e uma relação paralela, o DataFlash® usa uma relação de série da corredeira para alcançar sequencialmente seus dados. O acesso sequencial simples dramaticamente reduz a contagem de pino ativa, facilita a disposição do hardware, aumenta a confiança de sistema, minimiza o ruído de comutação, e reduz o tamanho do pacote.

O dispositivo é aperfeiçoado para o uso em muitas aplicações comerciais e industriais onde o alto densidade, a contagem do baixo-pino, de baixa voltagem e baixa potência são essenciais.

Para permitir o reprogrammability simples do em-sistema, o AT45DB011D não exige altas tensões da entrada programando. O dispositivo opera-se de uma única fonte de alimentação, 2.7V a 3.6V, para o programa e lê-se operações. O AT45DB011D é permitido através do pino seleto da microplaqueta (CS) e alcançado através de uma relação do três-fio que consiste na entrada de série (SI), na saída de série (ASSIM), e no pulso de disparo de série (SCK).

Toda a programação e para apagar ciclos é auto-programada.

Ratings* máximo absoluto

Temperatura sob ............................... -55° diagonal C a +125° C

Temperatura de armazenamento .................................... -65° C a +150° C

Todas as tensões entradas (que incluem os pinos do NC)

no que diz respeito à terra ................................... - 0.6V a +6.25V

Todas as tensões da saída

no que diz respeito à terra ............................. - 0.6V a VCC + 0.6V

*NOTICE: Os esforços além daqueles alistados sob “avaliações máximas absolutas” podem causar dano permanente ao dispositivo. Esta é uma avaliação do esforço somente e a operação funcional do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições além daqueles indicados nas seções operacionais desta especificação não é implicada. A exposição às condições da avaliação de máximo absoluta por períodos prolongados pode afetar a confiança do dispositivo.

Opinião superior de SOIC Opinião superior de UDFN ⁽¹⁾

Nota:

1. A almofada do metal na parte inferior do pacote de UDFN está flutuando. Esta almofada pode ser um “nenhum conecta” ou conectado à terra.

Diagrama de bloco

Oferta conservada em estoque (venda quente)