A placa de circuito do desempenho de ADT1-1WT-1+ lasca a dissipação de poder 0.5W
circuit board ic
,electronic components ic
Componentes da eletrônica de Chips Integrated Circuit Chip Power da placa de circuito ADT1-1WT1
Desempenho complacente da avaliação 245C IEEE 802.3af/ANSI X3.263 da temperatura do reflow do pico de RoHS projetado para aplicações do telefone ou do interruptor do IP
LISTA CONSERVADA EM ESTOQUE
C.I SN74LS244N | SI | 64AH70K/5ACCLLK | DIP-20 |
C.I 74HC238D | 1640 | SOP-16 | |
C.I P8255A5 (não L8320146) | INTEL | L5171029 | DIP-40 |
C.I HEF4051BT | 1622+ | SOP-16 | |
NÚMERO DE SÉRIE DE C.I IBUTTON DS1990A-F5+ |
DALLAS | 1631 | BOTÃO |
C.I M27C2001-10F1 | ST | 1211K | CDIP 32 |
TRANSPORTE IRF540NPBF | IR | P632D | TO-220 |
TRIAC BT151-500R | PJA603 | TO-220 | |
C.I MC908MR16CFUE | FREESCAL | 1341 | LQFP-64 |
C.I 74HC245DB, 118 | 1619 | SSOP-20 | |
C.I MCP130T-315I/TT | MICROCHIP | PLEP | SOT23-3 |
DIODO RGF1M-E3/67A | VISHAY | RM/5B | SMA |
C.I 74HC244DB, 118 | 1418 | SSOP-20 | |
C.I 74LVC139D | 1213 | SOP-16 | |
C.I LD1086V33 | ST | 829/833 | TO-220 |
DIODO TPD4E001DBVR | SI | NFY5 | SOT23-6 |
TRIAC BT151-500R | PJA603 | TO-220 | |
S5M-E3/57T | VISHAY | 1632/5M | SMC |
DIODO EMISSOR DE LUZ VSLB3940 DE DIODO | VISHAY | 10+ | DIP-2 |
MMBT3906LT1G | EM | 1642/2A | SOT-23 |
DIODO BAS16LT1G | EM SEMI | 1640/A6 | SOT-23 |
MBR3045CTP | DIODOS | 1024 | TO-220 |
GBU6M | VISHAY | 1510L | DIP-4 |
GBU608 | SETEMBRO | 16+ | DIP-4 |
SENSOR KTY11-6 Q62705-K246 |
T6/S76 | TO-92 | |
C.I AD590KH | ANÚNCIO | 1406 | CAN3 |
C.I ICL7660CBAZ | INTERSIL | V1608BA | SOP-8 |
C.I PC817C | AFIADO | H41 | DIP-4 |
TRANSPORTE TIP127 (ROHS) | ST | 608 | TO-220 |
4N25M OPTO | FSC | 645Q |
DIP-6 |
Característica
• desequilíbrio excelente da amplitude, 0,1 tipos do DB. e desequilíbrio da fase, 1 grau. tipo. na largura de banda 1dB
• lavável aquoso
• protegido sob a patente 6.133.525 dos E.U.
DESCRIÇÃO
• harmonização de impedância
• amplificador equilibrado
Avaliações máximas
Temperatura de funcionamento | -20°C a 85°C |
Temperatura de armazenamento | -55 °C a 100°C |
Poder do RF | 0.5W |
Corrente da C.C. | 30mA |