o MOSFET do N-canal de 500V 5A avançou o processo de alta tensão AOD5N50 do MOSFET
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem TO-252 da superfície 104W do N-canal 500 V 5A (Tc) (Tc) (DPAK)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Vds:
℃ de 600V@150
Identificação (em VGS=10V):
5 A
RDS (SOBRE) (em VGS=10V):
< 1="">
UIS testou!:
100%
Rg testou!:
100%
Destaque:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Introdução
AOD5N50 500V, MOSFET do N-canal 5A
Descrição geral
O AOD5N50 é fabricado usando um processo de alta tensão avançado do MOSFET que seja projetado entregar níveis elevados de desempenho e de vigor em aplicações populares de AC-DC. Fornecendo o baixo RDS (sobre), o Ciss e Crss junto com a capacidade garantida da avalancha este dispositivo podem ser adotados rapidamente em projetos autônomos novos e existentes da fonte de alimentação.
Sumário do produto
VDS ℃ de 600V@150
D (em VGS=10V) 5A
RDS (SOBRE) (em VGS=10V)< 1="">
100% UIS testado!
Rg 100% testado!
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS
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