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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Diodos de detector diagonais zero de Schottky da montagem de superfície do diodo de retificador de HSMS-2852-TR1G

Diodos de detector diagonais zero de Schottky da montagem de superfície do diodo de retificador de HSMS-2852-TR1G

Diodos de detector diagonais zero de Schottky da montagem de superfície do diodo de retificador de HSMS-2852-TR1G
Diodos de detector diagonais zero de Schottky da montagem de superfície do diodo de retificador de HSMS-2852-TR1G
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Diodo RF Schottky - 1 Par Conexão em Série 2V SOT-23-3
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal, Western Union
Especificações
Tensão inversa máxima:
2,0 V
TEMPERATURA DE JUNÇÃO:
150°C
Temperatura de armazenamento:
-65 a 150 °C
Temperatura de funcionamento:
°C 65 a 150
Destaque:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introdução

Características

• Pacotes de superfície da montagem SOT-23/SOT-143

• Pacotes SOT-323 e SOT-363 diminutos

• Sensibilidade alta da detecção: até 50 mV/µW em 915 megahertz

• Baixo ruído de cintilação: -162 dBV/Hz em 100 hertz

• Baixa FIT (falha a tempo) Rate*

• Opções da fita e do carretel disponíveis

• Diodos combinados para o desempenho consistente

• Condutibilidade melhor térmica para a dissipação de poder mais alto

• Opção sem chumbo disponível

Descrição

A família do HSMS-285x de Agilent dos diodos de detector zero de Schottky da polarização foi projetada e aperfeiçoada para o uso no sinal pequeno (Pin <-20 dBm="">

Nota importante:

Para aplicações do detector com os níveis de poder da entrada maiores do que – o dBm 20, usa a série de HSMS-282x em frequências abaixo de 4,0 gigahertz, e a série de HSMS-286x em frequências acima de 4,0 gigahertz. A série de HSMS-285x NÃO É RECOMENDADA para estas aplicações do nível de poder mais alto.

Avaliações máximas absolutas, TC = +25°C, único diodo

Símbolo Parâmetro Unidade SOT-23/143 SOT-323/363
PIV Tensão inversa máxima V 2,0 2,0
TJ Temperatura de junção °C 150 150
TSTG Temperatura de armazenamento °C -65 a 150 -65 a 150
PARTE SUPERIOR Temperatura de funcionamento °C -65 a 150 -65 a 150
θjc Resistência térmica [2] °C/W 500 150

Parâmetros típicos, único diodo

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