Amostra da precisão de LF198H e amplificador da posse
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
LF198/IF298/IF398, circuitos monolíticos da Amostra-e-posse de LF198A/IF398A
Descrição geral
Os LF198/IF298/IF398 são os circuitos monolíticos da amostra-e-posse que utilizam a tecnologia de BI-FET para obter a precisão ultra-alta da C.C. com aquisição rápida do sinal e da baixa taxa da inclinação. Operando-se como um seguidor do ganho da unidade, a precisão do ganho da C.C. é 0,002% típico e o tempo da aquisição é tão baixo quanto 6 µs a 0,01%. Uma fase bipolar da entrada é usada para conseguir a baixa tensão deslocada e a largura de banda larga. O offset entrado ajusta é realizado com um único pino, e não degrada a tração do offset da entrada. A largura de banda larga permite que o LF198 seja incluído dentro do laço de feedback de 1 megahertz ampères op sem ter problemas da estabilidade. A impedância entrada de 1010Ω permite que as impedâncias altas da fonte sejam usadas sem precisão de degradação. os FET da junção do P-canal são combinados com os dispositivos bipolares no amplificador da saída para dar as taxas da inclinação tão baixas quanto 5 mV/min com um 1 capacitor da posse do µF. Os JFET têm um ruído muito mais baixo do que os dispositivos do MOS usados em projetos precedentes e não exibem instabilidades de alta temperatura. O projeto total garante não alimentação-através da entrada à saída no modo da posse, mesmo para os sinais de entrada iguais às tensões de fonte.
Características
►Opera-se de ±5V às fontes de ±18V
►Tempo da aquisição de menos de 10 µs
►TTL, PMOS, entrada compatível da lógica do CMOS
►0,5 etapas típicas da posse do milivolt em Ch = 0,01 µF
►Baixo offset da entrada
►0,002% precisões do ganho
►Baixo ruído da saída no modo da posse
►As características entradas não mudam durante o modo da posse
►Relação de rejeção da fonte alta na amostra ou na posse
►Largura de banda larga
►O espaço qualificou, JM38510
Características de desempenho típicas