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Retificador de superfície da barreira de Schottky da montagem do diodo de barreira de SS32 Schottky

Retificador de superfície da barreira de Schottky da montagem do diodo de barreira de SS32 Schottky
Retificador de superfície da barreira de Schottky da montagem do diodo de barreira de SS32 Schottky
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Diodo 20 V 3A montagem em superfície SMA
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Atual retificado dianteiro médio máximo:
3,0 A
Corrente de impulso dianteiro máxima (método de JEDEC):
80,0 A
Resistência térmica máxima, junção a ambiental:
17 ℃/W
Capacidade de junção típica:
300 PF
Variação da temperatura de funcionamento da junção:
℃ -50 a +125
Variação da temperatura do armazenamento:
℃ -65 a +150
Destaque:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introdução

Retificador de superfície da barreira de Schottky da montagem do diodo de barreira de SS32 Schottky

Características

• Perfil baixo no pacote de SMC

• Perda de baixa potência, eficiência elevada

• Baixa queda de tensão dianteira

• O pacote plástico tem a classificação 94V-0 da inflamabilidade do laboratório dos seguradores

• RoHS complacente

Dados mecânicos

Caso: Plástico moldado de JEDEC DO-214AB (SMC)

Terminais: A solda chapeou, solderable por MIL-STD-750, método 2026

Polaridade: A faixa da cor denota a extremidade do cátodo

Peso: 0,007 onças, 0. 21 gramas

Avaliações máximas & características elétricas (TAmbient =25ºC salvo disposição em contrário)

Símbolos Descrição SS32 SS33 SS34 SS35 SS36 SS38 SS39 SS310 Unidade
VRMS Tensão máxima do RMS 14 21 28 35 42 56 63 70 V
VRRM Tensão reversa máxima repetitiva máxima 20 30 40 50 60 80 90 100 V
VDC Tensão de obstrução máxima da C.C. 20 30 40 50 60 80 90 100 V
MIM (AVOIRDUPOIS) A média máxima retificou para a frente atual (FIG.1) 3,0
IFSM Corrente de impulso dianteiro máxima (método de JEDEC) 80,0
VF Tensão dianteira instantânea máxima em 3.0A 0,50 0,70 0,85 V
IR Reverso máximo da C.C. atual na tensão de obstrução avaliado da C.C. Ta =25°C 2,0 miliampère
Ta =100°C 20,0
RθJA Resistência térmica máxima, junção a ambiental 17 °C/W
CJ Capacidade de junção típica (NOTA) 300 PF
TJ Variação da temperatura de funcionamento da junção -50 a +125 -50 a +150 °C
TSTG Variação da temperatura do armazenamento -65 a +150 °C

NOTAS: Medido em 1MHz e na tensão reversa do applier de 4.0VDC.

Curvas de características típicas

Dimensões nas polegadas (milímetros)

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