Eletrônica CI Chip Integarted Circuts dos diodos de retificador de DS90LV011ATMF/NOPB
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
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| DIODO BAS16,215 | 1634/A6W | SOT-23 | |
| C.I MC7915CTG | EM | RBPH30C | TO-220 |
| TAMPÃO 0603 47PF 50V 06035C470KAT2A | AVX | 1642 | SMD0603 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1636 | SMD0805 |
| C.I SN74HC08N | SI |
64CCGPK 64CDTHK |
DIP-14 |
| TAMPÃO 0805 100NF 50V 5% CL21B104JBCNNNC | SAMSUNG | ACAHOSH | SMD0805 |
| TAMPÃO CER 0805 68PF 100V NP0 C0805C680J1GACTU | KEMET | 1603 | SMD0805 |
| C.I L7812CV | ST | 620 | TO-220 |
| MT2060F-2 | MÍCRON | 1606-A4 | QFN48 |
| SI9978DW-T1 | VISHAY | Y342AA | SOP-24 |
| AT91SAM7X128-AU | ATMEL | 1324 | QFP-100 |
| LTC3546EUFD#PBF | LINEAR | 5B/1J | QFN28 |
| M41T82RM6F | STM | EZ025 | SOP-8 |
| NCT75DR2G | EM | PXDJ | SOP-8 |
| FM25CL64B-G | CYPRESS | 1525 | SOP-8 |
| OPA2340UA | SI | 32D52 | SOP-8 |
| ADM2587EBRWZ | DDA | 1641 | SOP-20 |
| LAN8710Ai-EZK | SMSC | 1239 | QFN32 |
| M30260F8AGP#U3A | RENESAS | 63803 | QFP48 |
Característica
• Conforma-se ao padrão de TIA/EIA-644-A
• taxas de comutação de >400Mbps (200MHz)
• 100 picosegundos típico) um enviesamento diferencial máximo de 700 picosegundos (
• atraso de propagação máximo de 1,5 ns
• Única fonte de alimentação 3.3V
• sinalização diferencial de ±350 milivolt
• Proteção do sem energia (saídas no TRI ESTADO)
• Pinout simplifica a disposição do PWB
• Dissipação de baixa potência
• Pacote de SOT-23 5-Lead
• SOT-23 versão Pin Compatible com SN65LVDS1
• Fabricado com tecnologia de processamento avançada do CMOS
• Escala de funcionamento industrial da temperatura – (−40°C a +85°C)
Avaliações máximas absolutas
(1) tensão de fonte (VDD) −0.3V a +4V
Tensão de entrada de LVCMOS (TTL DENTRO) −0.3V a +3.6V
Tensão da saída de LVDS (OUT±) −0.3V a +3.9V
A saída de LVDS procura um caminho mais curto 24mA atual
Dissipação de poder máxima @ +25°C do pacote
O pacote 902 mW de DBV Derate o pacote 7,22 mW/°C de DBV acima de +25°C
Resistência térmica (θJA) 138.5°C/Watt
Temperatura de armazenamento −65°C a +150°C
Temperatura da ligação – +260°C de solda (segundo 4.)
Temperatura de junção máxima +150°C ESD
≥ 900V do ≥ 9kV EIAJ de HBM das avaliações (1,5 kΩ, 100 PF) (0 Ω, 200 PF)
≥ direto 4kV do IEC do ≥ 2000V de CDM (0 Ω, 0 PF) (330 Ω, 150 PF)
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