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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > Mosfet de comutação da baixa potência do mosfet do poder do MOSFET do poder de IRFZ44NPBF

Mosfet de comutação da baixa potência do mosfet do poder do MOSFET do poder de IRFZ44NPBF

Mosfet de comutação da baixa potência do mosfet do poder do MOSFET do poder de IRFZ44NPBF
Mosfet de comutação da baixa potência do mosfet do poder do MOSFET do poder de IRFZ44NPBF
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Canal N 55 V 49A (Tc) 94W (Tc) Orifício de passagem TO-220AB
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Corrente contínua do dreno, VGS @ 10V:
35 A
Pulsado drene o  atual:
160 A
Dissipação de poder:
94 W
Fator derating linear:
0,63 W/°C
Tensão da Porta-à-fonte:
± 20 V
Destaque:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introdução

Lista CONSERVADA EM ESTOQUE

UPC1688G 3000 NEC 16+ SOT-143
VIPER32 3000 ST 16+ DIP-8
VN0300M 3000 VISHAY 16+ TO-92
VP0808 3000 VISHAY 14+ TO-92
ZX5T853G 3000 ZETEX 16+ SOT223
HEF4024BT 3001 PHILPS 16+ SO-14
L6565N 3002 ST 15+ MERGULHO
MCP1700T-3002E/TT 3002 MICROCHIP 16+ SOT-23
MCP1701AT-1802I/CB 3003 MICROCHIP 15+ SOT23-3
IRAMX20UP60A 3004 IR 12+ NA
74LVC1G384GW 3005 16+ SOT-353
TIP102 3008 ST 12+ TO-220
TPS3825-33DBVT 3008 SI 16+ SOT-153
H20R1202 3033 16+ TO-247
IRF7504TR 3050 IR 16+ MSOP-8
A7800 3100 AVAGO 16+ SOP-8
H21A1 3100 FAIRCHILD 16+ DIP-4
IRFB52N15D 3100 IR 14+ TO-220
RTD2660-GR 3100 REALTEK 16+ QFP128
SN75C23243DGGR 3100 SI 16+ TSSOP-48P
GT60N321 3114 TOSHIBA 15+ - A 3PL
BTS426L1 3120 16+ TO-263
CM1213-08 3121 CMD 15+ MSOP10
2N1893 3200 MOT 12+ TO-39
2SK386 3200 TOSHIBA 16+ TO-220F
74HC377PW 3200 12+ TSSOP
ADM706SARZ 3200 ANÚNCIO 16+ CONCESSÃO
ADP3338-1.8 3200 ANÚNCIO 16+ SOT223
BF513 3200 16+ SOT-23
BS801 3200 HOLTEK 16+ SOT23-6
CY7C68013A-128AXI 3200 CYPRESS 16+ LQFP
DS2431P 3200 MÁXIMA 14+ TSOC-6
FEP16DTA 3200 FSC 16+ TO-220
L78M06CDT-TR 3200 ST 16+ TO-252

IRFZ44N

Mosfet de comutação da baixa potência do mosfet do poder do MOSFET do poder

►Tecnologia de processamento avançada

►Em-resistência ultra baixa

►Avaliação dinâmica de dv/dt

►temperatura de funcionamento 175°C

►Interruptor rápido

►Inteiramente avalancha avaliada

Descrição

Os MOSFETs avançados do poder de HEXFET® do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.

O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria

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