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diodo de retificador 1N4004, diodo de uso geral do zener dos retificadores 18v

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Diodo 400 V 1A Através do Orifício DO-41/DO-204AC
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Tensão reversa repetitiva máxima:
400 V
Tensão máxima do RMS:
280 V
Tensão reversa da C.C.:
400 V
Tensão dianteira máxima @ 1,0 A:
1,1 V
Corrente reversa da carga máxima máxima:
µA 30
Capacidade de junção típica:
15 pF
Destaque:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introdução

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
G30N60A4 1300 FAIRCHILD 15+ TO-3P
M74HC137B1R 1300 ST 16+ MERGULHO
MB8421-12LP 1300 FUJITSU 16+ MERGULHO
MC33887DH 1300 FREESCAL 14+ HSOP-20
MSM6242BRS 1300 EM 14+ DIP-18
NE22 1300 IR 14+ TO-220
OPA134PA 1300 BB 16+ DIP-8
OPA2134PA 1300 BB 16+ DIP-8
TC4560BP 1300 TOS/NEC/H 13+ MERGULHO
74HCT688N 1320 PHI 15+ MERGULHO
DM9161AEP 1320 DAVICOM 16+ QFP
M430F149IPM 1320 SI 16+ QFP64
SN74HC645N 1320 SI 14+ DIP20
BTA26-800B 1325 ST 14+ TO-3P
LT3508EFE 1350 LINEAR 14+ TSSOP16
UM3750A 1351 UMC 16+ CONCESSÃO
MC34051D 1388 EM 16+ SOP16
FQP5N50C 1400 FAIRCHILD 13+ TO-220
IRFD420 1400 IR 15+ DIP-4
MAX1693EUB+ 1400 MÁXIMA 16+ MSOP10
TLP3063F 1400 TOSHIBA 16+ MERGULHO
MBRF10100CT 1420 SSG 14+ TO-220
VN920B 1422 ST 14+ SMD
74HCT4538N 1431 14+ MERGULHO
H5DU2562 1450 HYNIX 16+ TSOP
CY8C26643-24AXI 1455 GRITO 16+ QFP
AO4710 1458 AOS 13+ SOP8
LH5116NA-10 1472 AFIADO 15+ CONCESSÃO
PAL007E 1480 PIONEIRO 16+ ZIP-25
UCC27424DR 1491 SI 16+ SOP-8

1N4001 - 1N4007

Retificadores de uso geral de 1,0 ampères

Características

• Baixa queda de tensão dianteira.

• Capacidade alta da corrente de impulso.

Avaliações máximas absolutas * Ta = 25°C salvo disposição em contrário

Símbolo Parâmetro Valor Unidades
IO

Corrente retificada média.

375" comprimento da ligação @ Ta = 75°C

1,0
se (impulso)

Corrente de impulso dianteiro máxima

única metade-seno-onda de 8,3 Senhoras

Sobreposto na carga avaliado (método de JEDEC)

30
Paládio

Dissipação total do dispositivo

Derate acima de 25°C

2,5

20

W

mW/°C

RθJA Resistência térmica, junção a ambiental 50 °C/W
Tstg Variação da temperatura do armazenamento -55 a +175 °C
TJ Temperatura de junção de funcionamento -55 a +150 °C

as avaliações *These são os valores de limitação acima de que a utilidade de todo o dispositivo de semicondutor pode ser danificada.

Características típicas

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