diodo de retificador 1N4004, diodo de uso geral do zener dos retificadores 18v
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
| G30N60A4 | 1300 | FAIRCHILD | 15+ | TO-3P |
| M74HC137B1R | 1300 | ST | 16+ | MERGULHO |
| MB8421-12LP | 1300 | FUJITSU | 16+ | MERGULHO |
| MC33887DH | 1300 | FREESCAL | 14+ | HSOP-20 |
| MSM6242BRS | 1300 | EM | 14+ | DIP-18 |
| NE22 | 1300 | IR | 14+ | TO-220 |
| OPA134PA | 1300 | BB | 16+ | DIP-8 |
| OPA2134PA | 1300 | BB | 16+ | DIP-8 |
| TC4560BP | 1300 | TOS/NEC/H | 13+ | MERGULHO |
| 74HCT688N | 1320 | PHI | 15+ | MERGULHO |
| DM9161AEP | 1320 | DAVICOM | 16+ | QFP |
| M430F149IPM | 1320 | SI | 16+ | QFP64 |
| SN74HC645N | 1320 | SI | 14+ | DIP20 |
| BTA26-800B | 1325 | ST | 14+ | TO-3P |
| LT3508EFE | 1350 | LINEAR | 14+ | TSSOP16 |
| UM3750A | 1351 | UMC | 16+ | CONCESSÃO |
| MC34051D | 1388 | EM | 16+ | SOP16 |
| FQP5N50C | 1400 | FAIRCHILD | 13+ | TO-220 |
| IRFD420 | 1400 | IR | 15+ | DIP-4 |
| MAX1693EUB+ | 1400 | MÁXIMA | 16+ | MSOP10 |
| TLP3063F | 1400 | TOSHIBA | 16+ | MERGULHO |
| MBRF10100CT | 1420 | SSG | 14+ | TO-220 |
| VN920B | 1422 | ST | 14+ | SMD |
| 74HCT4538N | 1431 | 14+ | MERGULHO | |
| H5DU2562 | 1450 | HYNIX | 16+ | TSOP |
| CY8C26643-24AXI | 1455 | GRITO | 16+ | QFP |
| AO4710 | 1458 | AOS | 13+ | SOP8 |
| LH5116NA-10 | 1472 | AFIADO | 15+ | CONCESSÃO |
| PAL007E | 1480 | PIONEIRO | 16+ | ZIP-25 |
| UCC27424DR | 1491 | SI | 16+ | SOP-8 |
1N4001 - 1N4007
Retificadores de uso geral de 1,0 ampères
Características
• Baixa queda de tensão dianteira.
• Capacidade alta da corrente de impulso.
Avaliações máximas absolutas * Ta = 25°C salvo disposição em contrário
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidades |
| IO |
Corrente retificada média. 375" comprimento da ligação @ Ta = 75°C |
1,0 | |
| se (impulso) |
Corrente de impulso dianteiro máxima única metade-seno-onda de 8,3 Senhoras Sobreposto na carga avaliado (método de JEDEC) |
30 | |
| Paládio |
Dissipação total do dispositivo Derate acima de 25°C |
2,5 20 |
W mW/°C |
| RθJA | Resistência térmica, junção a ambiental | 50 | °C/W |
| Tstg | Variação da temperatura do armazenamento | -55 a +175 | °C |
| TJ | Temperatura de junção de funcionamento | -55 a +150 | °C |
as avaliações *These são os valores de limitação acima de que a utilidade de todo o dispositivo de semicondutor pode ser danificada.
Características típicas

