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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > O diodo de retificador 1N4738A, FAZ -41 diodos planares de Zener do poder do silicone

O diodo de retificador 1N4738A, FAZ -41 diodos planares de Zener do poder do silicone

O diodo de retificador 1N4738A, FAZ -41 diodos planares de Zener do poder do silicone
O diodo de retificador 1N4738A, FAZ -41 diodos planares de Zener do poder do silicone
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Diodo Zener 8,2 V 1 W ±5% Orifício de passagem DO-41
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Dissipação de poder:
1 W
TEMPERATURA DE JUNÇÃO:
℃ 200
Temperatura de armazenamento:
- 65 + ao ℃ 200
Junção da resistência térmica ao ar ambiental:
170 K/W
Tensão dianteira em SE = 200 miliampères:
1,2 V
Pacote:
DO-41
Destaque:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introdução

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
LM339DR 40000 SI 11+ SOP-14
MMBD4148CC 20000 CJ 16+ SOT-23
NX1117C33Z 30000 11+ SOT-223
MCF51QE128CLK 4816 FREESCALE 13+ QFP
P80C32UBAA 9740 PHILIPS 16+ PLCC
X25043ST1 2050 XICOR 09+ SOP-8
LM3488MM/NOPB 790 SI 13+ MSOP-8
LM393P 38000 SI 14+ DIP-8
OP113ES 5860 ANÚNCIO 16+ CONCESSÃO
XC95216-10PQG160I 200 XILINX 10+ QFP160
MT29F2G16ABAEAWP: E 6967 MÍCRON 14+ TSOP
OP177FSZ-REEL7 5900 ANÚNCIO 15+ CONCESSÃO
P89LPC936FDH 10320 15+ TSSOP
XC7A50T-1CSG324I 60 XILINX 15+ BGA
TPS5124DBTR 5291 SI 15+ TSSOP-30
UA78M33CKCS 6831 SI 15+ TO-220
TL064IDT 10000 ST 15+ SOP-14
TPS61041DBVR 10000 SI 15+ SOT23-5
TPS5450DDAR 5882 SI 16+ SOP-8
TPS54610PWPR 3872 SI 15+ HTSSOP28
TL2844BDR-8 7291 SI 15+ SOP-8
TEMD5110X01 30000 VISHAY 14+ SMD
TPS73250DBVR 8928 SI 15+ SOT23-5
UC3844D8TR 21029 SI 16+ SOP-8
TS831-3ID 4103 SI 16+ MSOP-10
UPC451G2-E2-A 4827 NEC 15+ SOP-14
TLE2426CLPR 9732 SI 16+ TO-92
TPS2501DRCR 9827 SI 14+ QFN-10
UE06AB6 5242 ST 15+ QFP-64
TPS650250RHBR 8387 SI 16+ QFN32

1N4727A… 1N4764A

DIODOS PLANARES DO PODER ZENER DO SILICONE

Avaliações máximas absolutas (Ta = ℃ 25)

Parâmetro Símbolo Valor Unidade
Dissipação de poder Ptot 1 1) W
Temperatura de junção Tj 200 ℃
Variação da temperatura do armazenamento TS - 65 + a 200 ℃

1) Válido contanto que as ligações em uma distância de 8 milímetros do caso são mantidas na temperatura ambiental.

Características em Ta = ℃ 25

Parâmetro Símbolo Máximo. Unidade
Junção da resistência térmica ao ar ambiental RthA 170 1) K/W
Tensão dianteira em SE = 200 miliampères VF 1,2 V

1) Válido contanto que as ligações em uma distância de 8 milímetros do caso são mantidas na temperatura ambiental.

Características de Breakdowm

Tj=constant (pulsado)

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