DIODO ULTRARRÁPIDO dos retificadores da eficiência elevada do diodo de retificador de HER208G-TP
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Oferta conservada em estoque (venda quente)
| Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
| INN8186 | 14106 | INNO | 15+ | SOP-8 |
| IP4220CZ6 | 95000 | 14+ | SOT23-6 | |
| IPD60R750E6 | 6123 | 16+ | TO-252 | |
| IPS022GTR | 6326 | IR | 04+ | SOP-8 |
| IPS7071GPBF | 6823 | IR | 12+ | SOP-8 |
| IR2103STRPBF | 4102 | IR | 15+ | SOP-8 |
| IR2110PBF | 12615 | IR | 16+ | DIP-14 |
| IR2110STRPBF | 11621 | IR | 15+ | SOP-16 |
| IR2111PBF | 2178 | IR | 07+ | DIP-8 |
| IR2112PBF | 8355 | IR | 08+ | DIP-14 |
| IR2113PBF | 4677 | IR | 15+ | DIP-14 |
| IR2113STRPBF | 12544 | IR | 15+ | SOIC-16 |
| IR2118PBF | 14177 | IR | 16+ | DIP-8 |
| IR2118S | 6075 | IR | 14+ | SOP-8 |
| IR2153PBF | 6146 | IR | 16+ | DIP-8 |
| IR21814STRPBF | 5286 | IR | 16+ | SOP-14 |
| IR2233J | 2249 | IR | 15+ | PLCC32 |
| IR3566BMTRPBF | 3860 | IR | 16+ | QFN48 |
| IR3570BMTRPBF | 3411 | IR | 14+ | QFN |
| IR3585BMSY01TRPBF | 3549 | IR | 13+ | QFN48 |
| IR4427PBF | 14248 | IR | 13+ | DIP-8 |
| IR4427STRPBF | 6248 | IR | 14+ | SOP-8 |
| IRF1010N | 3464 | IR | 14+ | TO-220 |
| IRF1404STRLPBF | 4764 | IR | 16+ | TO-263 |
| IRF1404ZPBF | 9554 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRF2807PBF | 6558 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRF2907Z | 2320 | IR | 11+ | TO-220 |
| IRF2907ZPBF | 4500 | IR | 12+ | TO-220 |
| IRF3205PBF | 8079 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRF3205ZSTRLPBF | 6857 | IR | 14+ | TO-263 |
HER201 – HER208
DIODO 2.0A ULTRAFAST
Características
- Junção difundida
- Baixa queda de tensão dianteira
- Capacidade atual alta
- Confiança alta
- Capacidade alta da corrente de impulso
Dados mecânicos
- Caso: DO-15, plástico moldado
- Terminais: Ligações chapeadas Solderable por MIL-STD-202, método 208
- Polaridade: Faixa do cátodo
- Peso: 0,40 gramas (aproximadamente)
- Posição de montagem: Alguns
- Marcação: Tipo número
- Sem chumbo: Para RoHS/versão sem chumbo
Avaliações máximas e características elétricas @TA=25°C salvo disposição em contrário
Carga de fase monofásica, de semionda, de 60Hz, resistive ou indutiva.
Para a carga capacitiva, derate atual por 20%.
| Característica | Símbolo |
SEU 201 |
SEU 202 |
SEU 203 |
SEU 204 |
SEU 205 |
SEU 206 |
SEU 207 |
SEU 208 |
Unidade |
|
Tensão reversa repetitiva máxima Tensão reversa máxima de trabalho Tensão de obstrução da C.C. |
VRRM VRWM VR |
50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| Tensão reversa do RMS | VR (RMS) | 35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
|
Corrente de saída retificada média (Nota 1) @TA = 55°C |
IO | 2,0 | ||||||||
|
Corrente de impulso dianteiro máxima Não-repetitiva única meia seno-onda 8.3ms sobreposta na carga avaliado (método de JEDEC) |
IFSM | 60 | ||||||||
| Tensão dianteira @IF = 2.0A | VFM | 1,0 | 1,3 | 1,7 | V | |||||
|
Atual reverso máximo @TA = 25°C Na tensão de obstrução avaliado da C.C. @TA = 100°C |
IRM |
5,0 100 |
µA | |||||||
| Tempo de recuperação reversa (nota 2) | trr | 50 | 75 | nS | ||||||
| Capacidade de junção típica (nota 3) | Cj | 60 | 40 | PF | ||||||
| Variação da temperatura de funcionamento | Tj | -65 a +125 | °C | |||||||
| Variação da temperatura do armazenamento | TSTG | -65 a +150 | °C | |||||||
Nota:
1. As ligações mantiveram na temperatura ambiental em uma distância de 9.5mm do caso
2. Medido com SE = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. Veja figura 5.
3. Medido em 1,0 megahertz e em tensão reversa aplicada de C.C. 4.0V
INFORMAÇÃO DE MARCAÇÃO GRAVANDO ESPECIFICAÇÕES
INFORMAÇÃO DE EMPACOTAMENTO

