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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > S5M - E3 - transistor da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do diodo de retificador 57T

S5M - E3 - transistor da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do diodo de retificador 57T

S5M - E3 - transistor da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do diodo de retificador 57T
S5M - E3 - transistor da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do diodo de retificador 57T
S5M - E3 - transistor da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do diodo de retificador 57T
S5M - E3 - transistor da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do diodo de retificador 57T
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem de superfície DO-214AB do diodo 1000 V 5A (SMC)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Variação da temperatura:
-65 a +150°C
termo do pagamento:
T/T, Paypal, Western Union
Tensão:
50V--1000V
Expedição:
DHL, FEDEX, TNT, EMS
Pacote:
DO-214AB
Pacote da fábrica:
850/REEL
Destaque:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introdução

S5M - E3 - transistor da eletrônica de IC da microplaqueta do circuito integrado do diodo de retificador 57T

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Vista geral

! Caso: SMC/DO-214AB, plástico moldado

! Terminais: Solda chapeada, Solderable por MIL-STD-750, método 2026

! Polaridade: Faixa do cátodo ou entalhe do cátodo

! Marcação: Tipo número! Peso: 0,21 gramas (aproximadamente)

! Sem chumbo: Para RoHS/versão sem chumbo, adicione “- o sufixo do LF” à número da peça, veja a página 4

Funções

! De vidro Passivated morrem construção

! Serido idealmente para o conjunto automático B

! Baixa queda de tensão dianteira

! Avaliação de sobrecarga do impulso 100A ao pico D

! Perda de baixa potência A

! Protetor da fiação incorporado F

! O material da capa de plástico tem a classificação da inflamabilidade do UL que avalia 94V-O

Tensão reversa repetitiva máxima que trabalha a tensão de obstrução máxima da C.C. da tensão reversa

VRRM VRWM VR 50 100 200 400 600 800 1000 V RMS

Tensão reversa VR (RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V

Corrente de saída retificada média @TL = 75°C IO 5,0 A

Corrente de impulso dianteiro máxima Não-repetitiva 8.3ms

Única meia seno-onda sobreposta na carga avaliado (método) IFSM 100 A de JEDEC

Tensão dianteira @IF = 5.0A VFM 1,15 V

Atual reverso máximo @TA = 25°C

Na tensão de obstrução avaliado da C.C. @TA = 125°C

IRM 10 capacidade de junção típica de 250 µA (nota 1) Cj 40 PF

Resistência térmica típica (nota 2) R? JL 10 °C/W

Variação da temperatura Tj do funcionamento e do armazenamento, TSTG -65 a °C +150

Uma parte da lista conservada em estoque

TRANSPORTE BC848B, 215 1427/1KW SOT-23
DIODO FEP16DT FSC A1104/AB04 TO-220
Transporte. TIP31C FSC 2016/09/13/B08 TO-220
DIODO MUR860G EM 608 TO-220
DIODO MUR460RLG EM 1613 DO-201AD
UMK316AB7475KL 1206 4.7UF 50V X7R Taiyoyunden 1608 SMD1206
BZX84-C6V2 1610/Z4W SOT-23
RP164PJ331CS 330R SAMSUNG 20160922 SMD0603x4
RC1210JR-074R7L 1210 4R7 5% YAGEO 1638 SMD1210
LM833DR SI 0AMASD5 SOP-8
LMH6646MAX SI MUAB/MGAB SOP-8
LM8261M5 SI A45A SOT23-5
M24C04-WMN6TP STM K235Q SOP-8
RSX101VA-30TR ROHM R SOD-323
IRLML2502TRPBF IR G6109 SOT-23
CL21A106KOQNNNE SAMSUNG AC8NOK9 SMD0805
LM2936Z-5.0 NSC 81AX TO-92
HEF4538BT, 653 1610 SOP-16
DAC5571IDBVT SI D571 SOT23-6
DS36C279M/NOPB NSC 43RC SOP-8
1206 1R2 1% RC1206FR-071R2L YAGEO 1638 SMD1206
0603 120R 1% RC0603FR-07120RL YAGEO 1635 SMD0603
0603 22K 1% RC0603FR-0722KL YAGEO 1635 SMD0603
AT24C64CN-SH-T ATMEL 008/64C 1 SOP-8
TLC072CDGN SI TI8A/ADV MSOP-8
74HC238D 1625 SOP-16
S5M-E3/57T VISHAY 1603/5M SMC
US1M-E3/61T VISHAY 1628/UM SMA
MC78M05CDTX FSC 1A42AD TO-252
HY-SRF05 　 16+ 　

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