RETIFICADOR de PONTE PASSIVATED DE VIDRO do diodo de retificador GBU808 8.0A
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
GBU8005 - GBU810
RETIFICADOR de PONTE 8.0A PASSIVATED DE VIDRO
Características
• De vidro Passivated morrem construção
• Força dielétrica do caso alto de 1500VRMS
• Baixa corrente reversa do escapamento
• Avaliação de sobrecarga do impulso ao pico 200A
• Ideal para aplicações da placa de circuito impresso
• O UL alistou sob o índice componente reconhecido, número de arquivo E94661
• Revestimento sem chumbo, RoHS complacente (nota 4)
Dados mecânicos
• Caso: GBU
• Material do caso: Plástico moldado. Classificação da inflamabilidade do UL que avalia 94V-0
• Sensibilidade de umidade: Ao nível 1 por J-STD-020C
• Terminais: Lata do revestimento. Solderable por MIL-STD-202, método 208
• Polaridade: Marcado no corpo
• Montagem: Através do furo para o parafuso #6
• Montando o torque: 5,0 polegada-libra máximo
• Informação pedindo: Veja a última página
• Marcação: Código da data e tipo número
• Peso: 6,6 gramas (aproximados) de caráter
Avaliações máximas e características elétricas @ Ta = 25℃ salvo disposição em contrário
Fase monofásica, carga de 60Hz, resistive ou indutiva.
Para a carga capacitiva, derate atual por 20%.
Característica | Símbolo |
GBU 8005 |
GBU 801 |
GBU 802 |
GBU 804 |
GBU 806 |
GBU 808 |
GBU 810 |
Unidade |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Tensão reversa repetitiva máxima Tensão reversa máxima de trabalho Tensão de obstrução da C.C. |
VRRM VRWM VR |
50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Tensão reversa do RMS | VR (RMS) | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
Corrente retificada dianteira média (nota 1) @ TC = 100? ℃ |
MIM (AVOIRDUPOIS) | 8,0 | |||||||
Seno-onda dianteira máxima Não-repetitiva da corrente de impulso única meia 8.3ms sobreposta na carga avaliado | IFSM | 200 | |||||||
Tensão dianteira (pelo elemento) @ SE = 4.0A | VFM | 1,0 | V | ||||||
Corrente reversa máxima @ TC = 25? ℃ na tensão de obstrução avaliado da C.C. @ TC = 125? ℃ |
IR |
5,0 500 |
? μA | ||||||
Iavaliaçãode 2tparafundir(t < 8=""> | I 2t | 166 | Uns2s | ||||||
Capacidade total típica pelo elemento (nota 3) | CT | 130 | PF | ||||||
Junção de resistência térmica típica ao caso (Nota 1) |
R? θJC | 2,2 | ? ℃/W | ||||||
Variação da temperatura do funcionamento e do armazenamento | Tj, TSTG | -55 a +150 | ℃ |
Notas:
1. A unidade montou no dissipador de calor da placa de cobre de 50 x de 50 x de 1.6mm.
2. Não-repetitivo, para t > 1.0ms e < 8="">
3. Pelo elemento, medido em 1.0MHz e em tensão reversa aplicada de C.C. 4.0V.
4. Revisão 13.2.2003 de RoHS. As isenções de vidro e de alta temperatura da solda aplicadas, consideram as notas diretivas 5 e 7. do anexo da UE.
Oferta conservada em estoque (venda quente)
Número da peça. | Quantidade | Tipo | D/C | Pacote |
IRFP064NPBF | 13257 | IR | 15+ | TO-247 |
IRFP150NPBF | 3754 | IR | 15+ | TO-247 |
IRFP240PBF | 6364 | VISHAY | 16+ | TO-247 |
IRFP26N60L | 4590 | VISHAY | 11+ | TO-247 |
IRFP2907PBF | 3962 | IR | 15+ | TO-247 |
IRFP460APBF | 5016 | VISHAY | 15+ | TO-247 |
IRFP4668PBF | 4165 | IR | 16+ | TO-247 |
IRFP9240PBF | 2375 | VISHAY | 13+ | TO-247 |
IRFPC50APBF | 4918 | VISHAY | 06+ | TO-247 |
IRFR024NTRPBF | 10083 | IR | 12+ | TO-252 |
IRFR1018ETR | 7234 | IR | 13+ | TO-252 |
IRFR3411TR | 4797 | IR | 14+ | TO-252 |
IRFR3607TRPBF | 6094 | IR | 13+ | TO-252 |
IRFR3910TRPBF | 12197 | IR | 16+ | TO-252 |
IRFR420ATRLPBF | 9002 | VISHAY | 09+ | TO-252 |
IRFR5410TR | 26000 | IR | 16+ | TO-252 |
IRFR9014TRPBF | 12907 | IR | 08+ | TO-252 |
IRFR9120NTRPBF | 9018 | IR | 14+ | TO-252 |
IRFRC20TRLPBF | 21285 | IR | 08+ | TO-252 |
IRFS640B | 4032 | FSC | 02+ | TO-220F |
IRFS7530 | 4561 | IR | 15+ | TO-263-7 |
IRFS7734TRLPBF | 4532 | 16+ | TO-263 | |
IRFU210PBF | 15534 | VISHAY | 14+ | TO-251 |
IRFU9110PBF | 10154 | IR | 05+ | TO-251 |
IRFZ44NPBF | 13775 | IR | 15+ | TO-220 |
IRFZ44S | 21356 | IR | 10+ | TO-263 |
IRFZ46NPBF | 8150 | IR | 16+ | TO-220 |
IRFZ48NPBF | 4963 | IR | 16+ | TO-220 |
IRG4BC30UD | 4673 | IR | 13+ | TO-220 |
IRG4PC50S | 9467 | IR | 13+ | TO-247 |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL

Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF

Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero

Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485

SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL
Imagem | parte # | Descrição | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDEU Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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![]() |
PF48F4400P0VBQEK NOVO E ORIGINAL |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memória Flash ESTOQUE NOVO E ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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ESTOQUE NOVO E ORIGINAL DE IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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![]() |
Microplaqueta de IC da memória Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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![]() |
Do BOCADO instantâneo de série da microplaqueta 3V 8M de W25Q80DVSNIG circuito integrado duplo da memória de Spi do quadrilátero |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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![]() |
Módulo IRF520 da movimentação PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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![]() |
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 ao módulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 NOVO E ORIGINAL |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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