Os retificadores controlados de silicone 2N6405G invertem a obstrução de tiristores 50 a 800 VOLTS
2N6405G
Os retificadores controlados de silicone invertem a obstrução de tiristores 50 a 800 VOLTS
Características
• Junções Passivated de vidro com porta do centro
Geometria para a maiores uniformidade e estabilidade do parâmetro
• Pequeno, áspero, construção de Thermowatt
para a baixa resistência térmica, dissipação de calor elevado
• Tensão de obstrução a 800 V
• Estes são dispositivos de Pb−Free
RATINGS* MÁXIMO (TJ = 25°C salvo disposição em contrário)
Avaliação | Símbolo | Valor | Unidade |
Em-estado RMS atual | A TI (RMS) | 16 | |
Corrente média do Em-estado | A TI (AVOIRDUPOIS) | 10 | |
Corrente de impulso Não-repetitiva máxima | ITSM | 160 | |
Considerações de fusão do circuito (t = Senhora 8,3) | MIM 2t | 145 | A2s |
Poder máximo dianteiro da porta | PGM | 20 | W |
Poder médio dianteiro da porta | PÁGINA (AVOIRDUPOIS) | 0,5 | W |
Corrente máxima dianteira da porta | IGM | 2,0 | |
Variação da temperatura de funcionamento da junção | TJ | −40 a +125 | °C |
Variação da temperatura do armazenamento | Tstg | −40 a +150 | °C |

0402 filme grosso Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para a linha elétrica TDK SMD0603

filme SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito através do disco 20mm do furo

Do silicone de uso geral do diodo de retificador de 2SB1261-TP 10W transistor planar Epitaxial de Pnp

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A do poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos da proteção das tevês 24VWM 47V ESD de H3F

Retificador MEGA SOD123 da barreira de PMEG6010ER 1A baixo VF Schottky

Os diodos de retificador da barreira de SK34SMA 3A SMD Schottky FAZEM - 214AC
