Modo 30V do realce do N-canal do transistor de efeito de campo AO3400A
power mosfet ic
,silicon power transistors
Modo 30V do realce do N-canal do transistor de efeito de campo AO3400A
AO3400A N
- Transistor de efeito de campo do modo do realce do canal
| Descrição geral | Característica |
| O AO3400A usa tecnologia avançada da trincheira para fornecer o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta. Este dispositivo é apropriado para o uso como um interruptor da carga ou em aplicações de PWM. O produto padrão AO3400A é Pb-livre (reuniões ROHS & Sony 259 especificações). |
VDS (v) = 30V Identificação = 5.7A (VGS = 10V) RDS (SOBRE) < 26=""> RDS (SOBRE) < 32m=""> RDS (SOBRE) < 48m=""> |
Características térmicas
| Parâmetro | Símbolo | Tipo | Máximo | Unidade | |
| A Junção-à-ambiental máximo | ≤ 10s de t | RθJA |
70 |
90 | °C/W |
| A Junção-à-ambiental máximo | De estado estacionário | 100 | 125 | °C/W | |
| Junção-à-ligação máxima C | De estado estacionário | RθJL | 63 | 80 | °C/W |
: O valor de RθJA é medido com o dispositivo montou em 1in a placa 2 FR-4 com 2oz. Cobre, em um ambiente de ar imóvel com T A=25°C. O valor em toda a aplicação dada depende do projeto específico da placa do usuário.
B: Avaliação repetitiva, largura de pulso limitada pela temperatura de junção TJ (max) =150°C.
C. O RθJA é a soma da impedância térmica da junção para conduzir o θJL de R e a conduzi-la a ambiental.
D. As características estáticas em figuras 1 6 são utilização obtida <300 us="" pulses="">
E. Estes testes são executados com o dispositivo montaram em 1 na placa 2 FR-4 com 2oz. Cobre, em um ambiente de ar imóvel com T A=25°C. A curva de SOA fornece uma única avaliação do pulso.
F: A avaliação atual é baseada na avaliação da resistência térmica do ≤ 10s de t. Rev0: Abril de 2007
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