Circuitos integrados de uso geral da eletrônica do transistor de BC817-25LT1G NPN
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Circuitos integrados de uso geral da eletrônica do transistor de BC817-25LT1G NPN
* ganho alto e baixo TIPO COMPLEMENTAR das tensões de saturação – DETALHE de BCX68 PARTMARKING – BCX69 – CJ BCX69-16 – CG BCX69-25 – CH
Características
• Os pacotes de Pb−Free estão disponíveis
AVALIAÇÕES MÁXIMAS
Unidade de avaliação do valor do símbolo
Tensão VCEO 45 V de Collector−Emitter
Tensão VCBO 50 V de Collector−Base
Tensão VEBO 5,0 V de Emitter−Base
MAdc contínuo de IC 500 do − da corrente de coletor
As avaliações máximas são aqueles valores além de que dano do dispositivo pode ocorrer. As avaliações máximas aplicaram-se ao dispositivo são valores de limite individuais do esforço (condições operacionais não normais) e são inválidas simultaneamente. Se estes limites são excedidos, a operação funcional do dispositivo não está implicada, dano pode ocorrer e a confiança pode ser afetada.
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS
Símbolo característico máximo
Placa total da dissipação FR−5 do dispositivo da unidade, (nota 1) Ta = 25°C
Derate acima 25°C de paládio 225 1,8 a resistência térmica do mW mW/°C,
Junction−to−Ambient RJA 556 °C/W
Carcaça total da alumina da dissipação do dispositivo, (nota 2) Ta = 25°C
Derate acima 25°C de paládio 300 2,4 mW mW/°C
Resistência térmica, Junction−to−Ambient RJA 417 °C/W
Temperatura TJ da junção e de armazenamento, Tstg −55 ao °C +150
1. FR−5 = 1,0 x 0,75 x 0,062 dentro.
2. Alumina = 0,4 x 0,3 x 0,024 na alumina 99,5%.