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Circuitos integrados de uso geral da eletrônica do transistor de BC817-25LT1G NPN

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Transistor (BJT) bipolar NPN 45 V 500 miliampère 100MHz montagem de superfície SOT-23-3 de 300 mW (T
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
BC817−40LT3:
6C SOT−23 10.000/fita & carretel
Tensão de Collector−Emitter:
45 V
Tensão de Base do Coletor:
50 V
Tensão de Emitter−Base:
5 V
− da corrente de coletor contínuo:
mAdc 500
BC817−16LT1:
6A SOT−23 3.000/fita & carretel
BC817−25LT1G:
6B SOT−23 (Pb−Free) 3.000/fita & carretel
BC817−25LT3G:
6B SOT−23 (Pb−Free) 10.000/fita & carretel
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

Circuitos integrados de uso geral da eletrônica do transistor de BC817-25LT1G NPN

* ganho alto e baixo TIPO COMPLEMENTAR das tensões de saturação – DETALHE de BCX68 PARTMARKING – BCX69 – CJ BCX69-16 – CG BCX69-25 – CH

Características

• Os pacotes de Pb−Free estão disponíveis

AVALIAÇÕES MÁXIMAS

Unidade de avaliação do valor do símbolo

Tensão VCEO 45 V de Collector−Emitter

Tensão VCBO 50 V de Collector−Base

Tensão VEBO 5,0 V de Emitter−Base

MAdc contínuo de IC 500 do − da corrente de coletor

As avaliações máximas são aqueles valores além de que dano do dispositivo pode ocorrer. As avaliações máximas aplicaram-se ao dispositivo são valores de limite individuais do esforço (condições operacionais não normais) e são inválidas simultaneamente. Se estes limites são excedidos, a operação funcional do dispositivo não está implicada, dano pode ocorrer e a confiança pode ser afetada.

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS

Símbolo característico máximo

Placa total da dissipação FR−5 do dispositivo da unidade, (nota 1) Ta = 25°C

Derate acima 25°C de paládio 225 1,8 a resistência térmica do mW mW/°C,

Junction−to−Ambient RJA 556 °C/W

Carcaça total da alumina da dissipação do dispositivo, (nota 2) Ta = 25°C

Derate acima 25°C de paládio 300 2,4 mW mW/°C

Resistência térmica, Junction−to−Ambient RJA 417 °C/W

Temperatura TJ da junção e de armazenamento, Tstg −55 ao °C +150

1. FR−5 = 1,0 x 0,75 x 0,062 dentro.

2. Alumina = 0,4 x 0,3 x 0,024 na alumina 99,5%.

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