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Componentes duplos da eletrônica do silicone do transistor NPN do Mosfet do poder de BC847A

fabricante:
Fabricante
Descrição:
Transistor (BJT) bipolar NPN 45 V 100 miliampère 300MHz montagem de superfície SOT-23-3 de 250 mW (T
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Bloco da fábrica:
3000PCS/Reel
tensão do Coletor-emissor:
65 45 30 VDC
Tensão de Base do Coletor:
80 50 30 VDC
Tensão de Emitter−Base:
6,0 6,0 5,0 VDC
− da corrente de coletor contínuo:
mAdc
Recuperação reversa máxima (Notes2):
4,0 ns
Resistência térmica do aximum de M R:
357' C/W
Variação da temperatura do armazenamento:
-55 a +125
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

Componentes duplos da eletrônica do silicone do transistor NPN do Mosfet do poder de BC847A

Série BC847ALT1

Silicone de uso geral dos transistor NPN

CARACTERÍSTICAS

• Os pacotes de Pb−Free estão disponíveis

• Nível da sensibilidade de umidade: 1

• Modelo do corpo humano do − da avaliação do ESD: Avaliação de >4000 V ESD

Modelo de máquina do −: >400 V

AVALIAÇÕES MÁXIMAS

Unidade de avaliação do valor do símbolo

Tensão BC846 BC847 do Coletor-emissor, BC850 BC848, BC849 VCEO 65 45 30 VDC

Tensão BC846 BC847 de Collector−Base, BC850 BC848, BC849 VCBO 80 50 30 VDC

Tensão BC846 BC847 de Emitter−Base, BC850 BC848, BC849 VEBO 6,0 6,0 5,0 VDC

MAdc contínuo de IC 100 do − da corrente de coletor

As avaliações máximas são aqueles valores além de que dano do dispositivo pode ocorrer. As avaliações máximas aplicaram-se ao dispositivo são valores de limite individuais do esforço (condições operacionais não normais) e são inválidas simultaneamente. Se estes limites são excedidos, a operação funcional do dispositivo não está implicada, dano pode ocorrer e a confiança pode ser afetada.

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS

Símbolo característico Max Unit

A placa total da dissipação FR−5 do dispositivo, (nota 1) Ta = 25°C Derate acima 25°C de paládio 225 1,8 mW mW/°C

Resistência térmica, Junction−to−Ambient (nota 1) RJA 556 °C/W

A carcaça total da alumina da dissipação do dispositivo (nota 2) Ta = 25°C Derate acima 25°C de paládio 300 2,4 mW mW/°C

Resistência térmica, Junction−to−Ambient (nota 2) RJA 417 °C/W

Variação da temperatura TJ da junção e do armazenamento, Tstg −55 ao °C +150

1. FR−5 = 1,0? 0,75? 0,062 dentro.

2. Alumina = 0,4? 0,3? 0,024 na alumina 99,5%.

Marcação

TIPO NÚMERO Código de marcação TIPO NÚMERO Código de marcação
BC846 1D∗ BC847A 1E*
BC846A 1A∗ BC847B 1F*
BC846B 1B∗ BC847C 1G*
BC847 1H*

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