Transistor de uso geral de KSP2907ATF
multi emitter transistor
,silicon power transistors
KSP2907A
Transistor de uso geral
• Tensão do Coletor-emissor: VCEO= 60V
• Dissipação de poder do coletor: PC =625mW (máximo)
• Refira KSP2907 para gráficos
Transistor Epitaxial do silicone de PNP
Avaliações máximas absolutas Ta=25°C salvo disposição em contrário
Unidades do valor de parâmetro do símbolo
Tensão -60 V da Coletor-base de VCBO
Tensão -60 V do Coletor-emissor de VCEO
Tensão -5 V da Emissor-base de VEBO
Corrente de coletor -600 de IC miliampère
Dissipação de poder 625 do coletor do PC mW
Temperatura de armazenamento -55 do °C TSTG da temperatura de junção 150 de TJ ~ °C 150
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| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidades |
| VCBO | Tensão da Coletor-base | -60 | V |
| VCEO | Tensão do Coletor-emissor | -60 | V |
| VEBO | Tensão da Emissor-base | -5 | V |
| IC | Corrente de coletor | -600 | miliampère |
| PC | Dissipação de poder do coletor | 625 | mW |
| TJ | Temperatura de junção | 150 | °C |
| TSTG | Temperatura de armazenamento | -55 | °C |
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