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Casa > produtos > microplaquetas eletrônicas do CI > O transistor linear 2N5458 JFETs do Mosfet do poder conduziu microplaquetas de IC das televisões

O transistor linear 2N5458 JFETs do Mosfet do poder conduziu microplaquetas de IC das televisões

O transistor linear 2N5458 JFETs do Mosfet do poder conduziu microplaquetas de IC das televisões
O transistor linear 2N5458 JFETs do Mosfet do poder conduziu microplaquetas de IC das televisões
fabricante:
Fabricante
Descrição:
N-canal 25 V 310 mW de JFET através do furo TO-92 (TO-226)
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Características:
N−Channel para o ganho mais alto
Features2:
Dreno e fonte permutáveis
Features3:
A C.A. alta entrou a impedância
Features4:
Resistência entrada alta de C.C.
Features5:
Baixa transferência e capacidade entrada
FEATURES6:
Baixa distorção de Cross−Modulation e de intermodulação
Destaque:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introdução

O transistor linear 2N5458 JFETs do Mosfet do poder conduziu microplaquetas de IC das televisões

Prostração de uso geral do − de N−Channel do − de JFETs

Transistor de efeito de campo da junção de N−Channel, modo de prostração (tipo A) projetado para aplicações audio e comutando.

Características

• N−Channel para o ganho mais alto

• Dreno e fonte permutáveis

• A C.A. alta entrou a impedância

• Resistência entrada alta de C.C.

• Baixa transferência e capacidade entrada

• Baixa distorção de Cross−Modulation e de intermodulação

• Pacote encapsulado plástico de Unibloc • Os pacotes de Pb−Free são Available*

AVALIAÇÕES MÁXIMAS
Avaliação Símbolo Valor Unidade
Tensão de Drain−Source VDS 25 VDC
Tensão de Drain−Gate VDG 25 VDC
Tensão reversa de Gate−Source VGSR −25 VDC
Corrente da porta IG 10 mAdc
A dissipação total do dispositivo @ Ta = 25°C Derate acima de 25°C Paládio 310 2,82 mW mW/°C
Temperatura de junção de funcionamento TJ 135 °C
Variação da temperatura do armazenamento Tstg −65 a +150 °C

Os esforços que excedem avaliações máximas podem danificar o dispositivo. As avaliações máximas são avaliações do esforço somente. A operação funcional acima das condições operacionais recomendadas não é implicada. A exposição estendida aos esforços acima das condições operacionais recomendadas pode afetar a confiança do dispositivo

INFORMAÇÃO PEDINDO

Transporte do pacote do dispositivo

unidades de 2N5457 TO−92 1000/caixa

unidades de 2N5458 TO−92 1000/caixa

2N5458G TO−92 (Pb−Free) 1000 unidades/caixa

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