Amplificador de uso geral do transistor KSP2907 ATA Equivalent PNP do Mosfet do poder
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Transistor (BJT) bipolar PNP 60 V 600 miliampère 200MHz 625 mW através do furo TO-92-3
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiate
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Features2:
• Dissipação de poder do coletor: PC =625mW (máximo)
Características:
• Tensão do Coletor-emissor: VCEO= 60V
Features3:
• Sufixo “- C” significa um coletor do centro (1.Emitter 2.Collector 3.Base)
Features4:
• Não sufixo “- C” significa um coletor lateral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)
Features5:
• Disponível como PN2907A
Destaque:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introdução
Amplificador equivalente de uso geral do transistor KSP2907A PNP do Mosfet do poder
Características
• Tensão do Coletor-emissor: VCEO= 60V
• Dissipação de poder do coletor: PC =625mW (máximo)
• Sufixo “- C” significa um coletor do centro (1.Emitter 2.Collector 3.Base)
• Não sufixo “- C” significa um coletor lateral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)
• Disponível como PN2907A
Avaliações máximas absolutas * Ta = 25°C salvo disposição em contrário
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidades |
| VCBO | Tensão da Coletor-base | -60 | V |
| VCEO | Tensão do Coletor-emissor | -60 | V |
| VEBO | Tensão da Emissor-base | -5 | V |
| IC | Corrente de coletor | -600 | miliampère |
| TJ | Temperatura de junção | +150 | °C |
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