Modo BSP315 SIPMOS do realce do canal do transistor P do Mosfet do poder do sinal
fabricante:
Fabricante
Descrição:
Montagem de superfície SOT-223 do P-canal 50 V 1A 1.8W
Categoria:
microplaquetas eletrônicas do CI
Preço:
Negotiation
Método do pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Especificações
Linha principal:
CI, módulo, transistor, diodos, capacitor, resistor etc.
Características:
Canal de P
Features2:
Modo do realce
Features3:
• Nível da lógica
Features4:
VGS (th) = -0,8… - 2,0 V
Pacote:
SOT-23
Destaque:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introdução
Modo BSP315 SIPMOS do realce do canal do transistor P do Mosfet do poder do sinal
• Canal de P
• Modo do realce
• Nível da lógica
• VGS (th) = -0,8… - 2,0 V
tensão de divisão V da Dreno-fonte (BR) DSS = ƒ (Tj)
Impedância térmica transiente Zth JA = parâmetro do ƒ (tp): D = tp/T
Avaliações máximas
| Parâmetro | Símbolo | Valores | Unidade |
| Drene a tensão da fonte | VDS | -50 | V |
|
tensão da Dreno-porta RGS = kΩ 20 |
VDGR | -50 | |
| Tensão de fonte de porta | VGS | ± 20 | |
|
Corrente contínua do dreno Ta = °C 39 |
Identificação | -1,1 | |
|
Dreno da C.C. atual, pulsado Ta = °C 25 |
IDpuls | -4,4 | |
|
Dissipação de poder Ta = °C 25 |
Ptot | 1,8 | W |
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